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71V416VL12YG8

产品描述Standard SRAM, 256KX16, 12ns, CMOS, PDSO44
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文件大小981KB,共9页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
标准
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71V416VL12YG8概述

Standard SRAM, 256KX16, 12ns, CMOS, PDSO44

71V416VL12YG8规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间12 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-J44
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度16
端子数量44
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256KX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOJ
封装等效代码SOJ44,.44
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.01 A
最小待机电流3 V
最大压摆率0.17 mA
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
Base Number Matches1
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