2SJ114,2SJ114 pdf中文资料,2SJ114引脚图,2SJ114电路-Datasheet-电子工程世界

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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> 2SJ114

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2SJ114: 产品描述TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,200V V(BR)DSS,8A I(D),TO-247VAR; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小119KB，共3页; 制造商Renesas(瑞萨电子); 官网地址https://www.renesas.com/

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2SJ114概述

TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,200V V(BR)DSS,8A I(D),TO-247VAR

2SJ114规格参数

参数名称	属性值
Reach Compliance Code	compliant
配置	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)	8 A
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
极性/信道类型	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	100 W
表面贴装	NO
Base Number Matches	1

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