Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 1-Element
参数名称 | 属性值 |
Reach Compliance Code | unknown |
最大集电极电流 (IC) | 50 A |
最小直流电流增益 (hFE) | 25 |
最大降落时间(tf) | 750 ns |
元件数量 | 1 |
最高工作温度 | 150 °C |
最大功率耗散 (Abs) | 125 W |
最大上升时间(tr) | 1000 ns |
VCEsat-Max | 3 V |
Base Number Matches | 1 |
D66GV7 | D66GV6 | |
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描述 | Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 1-Element | Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 1-Element |
Reach Compliance Code | unknown | unknown |
最大集电极电流 (IC) | 50 A | 50 A |
最小直流电流增益 (hFE) | 25 | 25 |
最大降落时间(tf) | 750 ns | 750 ns |
元件数量 | 1 | 1 |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
最大功率耗散 (Abs) | 125 W | 125 W |
最大上升时间(tr) | 1000 ns | 1000 ns |
VCEsat-Max | 3 V | 3 V |
Base Number Matches | 1 | 1 |
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