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IRF620R

产品描述5A, 200V, 0.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小177KB,共5页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

IRF620R概述

5A, 200V, 0.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB

IRF620R规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)5 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码e0
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)40 W
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches1

IRF620R相似产品对比

IRF620R IRF622R IRF621R IRF623R
描述 5A, 200V, 0.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB 4A, 200V, 1.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB 5A, 150V, 0.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB 4A, 150V, 1.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant _compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
配置 Single Single Single Single
最大漏极电流 (Abs) (ID) 5 A 4 A 5 A 4 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 40 W 40 W 40 W 40 W
表面贴装 NO NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches 1 1 1 -
厂商名称 - Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子)
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