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UPD4104D-30

产品描述IC,SRAM,4KX1,MOS,DIP,18PIN,CERAMIC
产品类别存储    存储   
文件大小454KB,共11页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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UPD4104D-30概述

IC,SRAM,4KX1,MOS,DIP,18PIN,CERAMIC

UPD4104D-30规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明DIP, DIP18,.3
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间300 ns
I/O 类型SEPARATE
JESD-30 代码R-XDIP-T18
JESD-609代码e0
内存密度4096 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度1
端子数量18
字数4096 words
字数代码4000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4KX1
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC
封装代码DIP
封装等效代码DIP18,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
最小待机电流3 V
最大压摆率0.021 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术MOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
Base Number Matches1

UPD4104D-30相似产品对比

UPD4104D-30 UPD4104D-32 UPD4104D-36 UPD4104C-33 UPD4104C-3 UPD4104D-35 UPD4104D-33 UPD4104D-3
描述 IC,SRAM,4KX1,MOS,DIP,18PIN,CERAMIC IC,SRAM,4KX1,MOS,DIP,18PIN,CERAMIC IC,SRAM,4KX1,MOS,DIP,18PIN,CERAMIC IC,SRAM,4KX1,MOS,DIP,18PIN,PLASTIC IC,SRAM,4KX1,MOS,DIP,18PIN,PLASTIC IC,SRAM,4KX1,MOS,DIP,18PIN,CERAMIC IC,SRAM,4KX1,MOS,DIP,18PIN,CERAMIC IC,SRAM,4KX1,MOS,DIP,18PIN,CERAMIC
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
包装说明 DIP, DIP18,.3 DIP, DIP18,.3 DIP, DIP18,.3 DIP, DIP18,.3 DIP, DIP18,.3 DIP, DIP18,.3 DIP, DIP18,.3 DIP, DIP18,.3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
最长访问时间 300 ns 200 ns 85 ns 150 ns 150 ns 120 ns 150 ns 150 ns
I/O 类型 SEPARATE SEPARATE SEPARATE SEPARATE SEPARATE SEPARATE SEPARATE SEPARATE
JESD-30 代码 R-XDIP-T18 R-XDIP-T18 R-XDIP-T18 R-PDIP-T18 R-PDIP-T18 R-XDIP-T18 R-XDIP-T18 R-XDIP-T18
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
内存密度 4096 bit 4096 bit 4096 bit 4096 bit 4096 bit 4096 bit 4096 bit 4096 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 18 18 18 18 18 18 18 18
字数 4096 words 4096 words 4096 words 4096 words 4096 words 4096 words 4096 words 4096 words
字数代码 4000 4000 4000 4000 4000 4000 4000 4000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 4KX1 4KX1 4KX1 4KX1 4KX1 4KX1 4KX1 4KX1
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 CERAMIC CERAMIC CERAMIC PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY CERAMIC CERAMIC CERAMIC
封装代码 DIP DIP DIP DIP DIP DIP DIP DIP
封装等效代码 DIP18,.3 DIP18,.3 DIP18,.3 DIP18,.3 DIP18,.3 DIP18,.3 DIP18,.3 DIP18,.3
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最小待机电流 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
最大压摆率 0.021 mA 0.021 mA 0.04 mA 0.04 mA 0.04 mA 0.04 mA 0.04 mA 0.04 mA
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO NO
技术 MOS MOS MOS MOS MOS MOS MOS MOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1 1 1

 
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