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NE25139-T2

产品描述RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小156KB,共5页
制造商California Eastern Labs
官网地址http://www.cel.com/
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NE25139-T2概述

RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET

NE25139-T2规格参数

参数名称属性值
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性LOW NOISE
外壳连接SOURCE
配置SINGLE
最小漏源击穿电压13 V
最大漏极电流 (ID)0.04 A
FET 技术METAL SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)0.03 pF
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-PDSO-G4
元件数量1
端子数量4
工作模式DUAL GATE, DEPLETION MODE
最高工作温度125 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp)16 dB
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches1

NE25139-T2相似产品对比

NE25139-T2 NE25139T2U72 NE25139T2U73 NE25139T2U74
描述 RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 LOW NOISE LOW NOISE LOW NOISE LOW NOISE
外壳连接 SOURCE SOURCE SOURCE SOURCE
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小漏源击穿电压 13 V 13 V 13 V 13 V
最大漏极电流 (ID) 0.04 A 0.025 A 0.035 A 0.04 A
FET 技术 METAL SEMICONDUCTOR METAL SEMICONDUCTOR METAL SEMICONDUCTOR METAL SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 0.03 pF 0.03 pF 0.03 pF 0.03 pF
最高频带 ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码 R-PDSO-G4 R-PDSO-G4 R-PDSO-G4 R-PDSO-G4
元件数量 1 1 1 1
端子数量 4 4 4 4
工作模式 DUAL GATE, DEPLETION MODE DUAL GATE, DEPLETION MODE DUAL GATE, DEPLETION MODE DUAL GATE, DEPLETION MODE
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp) 16 dB 16 dB 16 dB 16 dB
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches 1 1 1 -
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