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IR280DG06HCBPBF

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 600V V(RRM), Silicon, WAFER
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小176KB,共3页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
标准  
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IR280DG06HCBPBF概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 600V V(RRM), Silicon, WAFER

IR280DG06HCBPBF规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码WAFER
包装说明O-XUUC-N
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
应用HIGH POWER
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码O-XUUC-N
元件数量1
相数1
端子数量2
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状ROUND
封装形式UNCASED CHIP
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压600 V
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间40
Base Number Matches1

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Bulletin I0135J 05/99
IR280DG..HCB SERIES
HIGH POWER RECTIFIER DIODES
Junction Size:
Wafer Size:
V
RRM
Class:
Passivation Process:
Square 280 mils
4"
600 and 1200 V
Glassivated MESA
Reference IR Packaged Part:
70HF Series
Major Ratings and Characteristics
Parameters
V
FM
V
RRM
Maximum Forward Voltage
Reverse Breakdown Voltage Range
Units
990 mV
600 and 1200 V
Test Conditions
T
J
= 25°C I
F
= 25A
T
J
= 25°C I
R
= 100µA
(1)
(1)
Nitrogen flow on die edge.
Mechanical Characteristics
Nominal Back Metal Composition, Thickness
Nominal Front Metal Composition, Thickness
Chip Dimensions
Wafer Diameter
Wafer Thickness
Maximum Width of Sawing Line
Reject Ink Dot Size
Ink Dot Location
Recommended Storage Environment
Cr - Ni - Ag (1 KA - 4 KA - 6 KA)
Cr - Ni - Ag (1 KA - 4 KA - 6 KA)
280 x 280 mils (see drawing)
100 mm, with std. < 110 > flat
300 µm
130 µm
0.25 mm diameter minimum
See drawing
Storage in original container, in dessicated
nitrogen, with no contamination
www.irf.com
1

IR280DG06HCBPBF相似产品对比

IR280DG06HCBPBF IR280DG12HCBPBF
描述 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 600V V(RRM), Silicon, WAFER Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1200V V(RRM), Silicon, WAFER
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
零件包装代码 WAFER WAFER
包装说明 O-XUUC-N O-XUUC-N
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
应用 HIGH POWER HIGH POWER
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 O-XUUC-N O-XUUC-N
元件数量 1 1
相数 1 1
端子数量 2 2
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 UNCASED CHIP UNCASED CHIP
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 600 V 1200 V
表面贴装 YES YES
端子形式 NO LEAD NO LEAD
端子位置 UPPER UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间 40 40
Base Number Matches 1 1
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