Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> IR280DG12HCBPBF

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IR280DG12HCBPBF: 产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1200V V(RRM), Silicon, WAFER; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小176KB，共3页; 制造商International Rectifier （ Infineon ）; 官网地址http://www.irf.com/; 标准

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IR280DG12HCBPBF概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1200V V(RRM), Silicon, WAFER

IR280DG12HCBPBF规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）
零件包装代码	WAFER
包装说明	O-XUUC-N
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
Is Samacsys	N
应用	HIGH POWER
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码	O-XUUC-N
元件数量	1
相数	1
端子数量	2
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装形状	ROUND
封装形式	UNCASED CHIP
峰值回流温度（摄氏度）	260
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	1200 V
表面贴装	YES
端子形式	NO LEAD
端子位置	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间	40
Base Number Matches	1

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Bulletin I0135J 05/99

IR280DG..HCB SERIES

HIGH POWER RECTIFIER DIODES

Junction Size:

Wafer Size:

RRM

Class:

Passivation Process:

Square 280 mils

600 and 1200 V

Glassivated MESA

Reference IR Packaged Part:

70HF Series

Major Ratings and Characteristics

Parameters

RRM

Maximum Forward Voltage

Reverse Breakdown Voltage Range

Units

990 mV

600 and 1200 V

Test Conditions

= 25°C I

= 25A

= 25°C I

= 100µA

(1)

Nitrogen flow on die edge.

Mechanical Characteristics

Nominal Back Metal Composition, Thickness

Nominal Front Metal Composition, Thickness

Chip Dimensions

Wafer Diameter

Wafer Thickness

Maximum Width of Sawing Line

Reject Ink Dot Size

Ink Dot Location

Recommended Storage Environment

Cr - Ni - Ag (1 KA - 4 KA - 6 KA)

280 x 280 mils (see drawing)

100 mm, with std. < 110 > flat

300 µm

130 µm

0.25 mm diameter minimum

See drawing

Storage in original container, in dessicated

nitrogen, with no contamination

www.irf.com

IR280DG12HCBPBF相似产品对比

	IR280DG12HCBPBF	IR280DG06HCBPBF
描述	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1200V V(RRM), Silicon, WAFER	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 600V V(RRM), Silicon, WAFER
是否无铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合
零件包装代码	WAFER	WAFER
包装说明	O-XUUC-N	O-XUUC-N
Reach Compliance Code	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99
应用	HIGH POWER	HIGH POWER
配置	SINGLE	SINGLE
二极管元件材料	SILICON	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码	O-XUUC-N	O-XUUC-N
元件数量	1	1
相数	1	1
端子数量	2	2
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装形状	ROUND	ROUND
封装形式	UNCASED CHIP	UNCASED CHIP
峰值回流温度（摄氏度）	260	260
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	1200 V	600 V
表面贴装	YES	YES
端子形式	NO LEAD	NO LEAD
端子位置	UPPER	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间	40	40
Base Number Matches	1	1

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