1.75 A, 35 V, 4 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
1.75 A, 35 V, 4 通道, NPN, 硅, 功率晶体管
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | ST(意法半导体) |
零件包装代码 | DIP |
包装说明 | DIP, DIP16,.3 |
针数 | 16 |
Reach Compliance Code | _compli |
ECCN代码 | EAR99 |
其他特性 | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
内置保护 | TRANSIENT |
驱动器位数 | 4 |
接口集成电路类型 | BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER |
JESD-30 代码 | R-PDIP-T16 |
JESD-609代码 | e0 |
功能数量 | 4 |
端子数量 | 16 |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -20 °C |
输出电流流向 | SINK |
最大输出电流 | 1.5 A |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | DIP |
封装等效代码 | DIP16,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | 12 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 5.1 mm |
标称供电电压 | 12 V |
表面贴装 | NO |
技术 | BIPOLAR |
温度等级 | OTHER |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
断开时间 | 1.5 µs |
接通时间 | 1 µs |
宽度 | 7.62 mm |
Base Number Matches | 1 |
ULN2070B | ULN2064B_03 | ULN2076B | |
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描述 | 1.75 A, 35 V, 4 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR | 1.75 A, 35 V, 4 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR | 1.75 A, 35 V, 4 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
端子数量 | 16 | 16 | 16 |
端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL |
是否Rohs认证 | 不符合 | - | 不符合 |
厂商名称 | ST(意法半导体) | - | ST(意法半导体) |
零件包装代码 | DIP | - | DIP |
包装说明 | DIP, DIP16,.3 | - | POWER, DIP-16 |
针数 | 16 | - | 16 |
Reach Compliance Code | _compli | - | _compli |
ECCN代码 | EAR99 | - | EAR99 |
其他特性 | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | - | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
JESD-30 代码 | R-PDIP-T16 | - | R-PDIP-T16 |
JESD-609代码 | e0 | - | e0 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE | - | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified |
表面贴装 | NO | - | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | Tin/Lead (Sn/Pb) |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches | 1 | - | 1 |
元件数量 | - | 4 | 4 |
晶体管应用 | - | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | - | SILICON | SILICON |
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