1.75 A, 35 V, 4 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
1.75 A, 35 V, 4 通道, NPN, 硅, 功率晶体管
参数名称 | 属性值 |
端子数量 | 16 |
晶体管极性 | NPN |
最大集电极电流 | 1.75 A |
最大集电极发射极电压 | 35 V |
加工封装描述 | POWER, DIP-16 |
无铅 | Yes |
欧盟RoHS规范 | Yes |
状态 | ACTIVE |
包装形状 | RECTANGULAR |
包装尺寸 | IN-LINE |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子涂层 | NICKEL PALLADIUM GOLD |
端子位置 | DUAL |
包装材料 | PLASTIC/EPOXY |
结构 | 4 BANKS, DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
元件数量 | 4 |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
最大环境功耗 | 1 W |
晶体管类型 | GENERAL PURPOSE POWER |
ULN2064B_03 | ULN2076B | ULN2070B | |
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描述 | 1.75 A, 35 V, 4 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR | 1.75 A, 35 V, 4 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR | 1.75 A, 35 V, 4 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
端子数量 | 16 | 16 | 16 |
端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL |
元件数量 | 4 | 4 | - |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | - |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | - |
是否Rohs认证 | - | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | - | ST(意法半导体) | ST(意法半导体) |
零件包装代码 | - | DIP | DIP |
包装说明 | - | POWER, DIP-16 | DIP, DIP16,.3 |
针数 | - | 16 | 16 |
Reach Compliance Code | - | _compli | _compli |
ECCN代码 | - | EAR99 | EAR99 |
其他特性 | - | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
JESD-30 代码 | - | R-PDIP-T16 | R-PDIP-T16 |
JESD-609代码 | - | e0 | e0 |
封装主体材料 | - | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | - | IN-LINE | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度) | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
认证状态 | - | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | - | NO | NO |
端子面层 | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
处于峰值回流温度下的最长时间 | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches | - | 1 | 1 |
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