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6116SA120YB

产品描述Standard SRAM, 2KX8, 120ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24
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文件大小560KB,共10页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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6116SA120YB概述

Standard SRAM, 2KX8, 120ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24

6116SA120YB规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码SOJ
包装说明SOJ,
针数24
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间120 ns
JESD-30 代码R-PDSO-J24
JESD-609代码e0
内存密度16384 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端子数量24
字数2048 words
字数代码2000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织2KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOJ
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-STD-883 Class B
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层TIN LEAD
端子形式J BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间20
Base Number Matches1
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