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6206-100/BXAJC

产品描述32KX8 STANDARD SRAM, 100ns, CDIP28, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-28
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文件大小61KB,共2页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
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6206-100/BXAJC概述

32KX8 STANDARD SRAM, 100ns, CDIP28, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-28

6206-100/BXAJC规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码DIP
包装说明DIP, DIP28,.6
针数28
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间100 ns
其他特性AUTOMATIC POWER-DOWN
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-CDIP-T28
JESD-609代码e0
长度37.145 mm
内存密度262144 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量28
字数32768 words
字数代码32000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织32KX8
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DIP
封装等效代码DIP28,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度5.84 mm
最大待机电流0.02 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.15 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度15.24 mm
Base Number Matches1

6206-100/BXAJC相似产品对比

6206-100/BXAJC 6206-55/BXAJC
描述 32KX8 STANDARD SRAM, 100ns, CDIP28, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-28 32KX8 STANDARD SRAM, 55ns, CDIP28, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-28
是否无铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合
零件包装代码 DIP DIP
包装说明 DIP, DIP28,.6 DIP, DIP28,.6
针数 28 28
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C
最长访问时间 100 ns 55 ns
其他特性 AUTOMATIC POWER-DOWN AUTOMATIC POWER-DOWN
I/O 类型 COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-CDIP-T28 R-CDIP-T28
JESD-609代码 e0 e0
长度 37.145 mm 37.145 mm
内存密度 262144 bit 262144 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 8 8
功能数量 1 1
端口数量 1 1
端子数量 28 28
字数 32768 words 32768 words
字数代码 32000 32000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C
组织 32KX8 32KX8
输出特性 3-STATE 3-STATE
可输出 YES YES
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码 DIP DIP
封装等效代码 DIP28,.6 DIP28,.6
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
筛选级别 38535Q/M;38534H;883B 38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度 5.84 mm 5.84 mm
最大待机电流 0.02 A 0.02 A
最小待机电流 4.5 V 4.5 V
最大压摆率 0.15 mA 0.15 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V
表面贴装 NO NO
技术 CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 15.24 mm 15.24 mm
Base Number Matches 1 1
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