6206-55/BXAJC概述

32KX8 STANDARD SRAM, 55ns, CDIP28, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-28

6206-55/BXAJC规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Motorola ( NXP )
零件包装代码	DIP
包装说明	DIP, DIP28,.6
针数	28
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	3A001.A.2.C
Is Samacsys	N
最长访问时间	55 ns
其他特性	AUTOMATIC POWER-DOWN
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-CDIP-T28
JESD-609代码	e0
长度	37.145 mm
内存密度	262144 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	28
字数	32768 words
字数代码	32000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	32KX8
输出特性	3-STATE
可输出	YES
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP28,.6
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
筛选级别	38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度	5.84 mm
最大待机电流	0.02 A
最小待机电流	4.5 V
最大压摆率	0.15 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	15.24 mm
Base Number Matches	1

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6206-55/BXAJC相似产品对比

	6206-55/BXAJC	6206-100/BXAJC
描述	32KX8 STANDARD SRAM, 55ns, CDIP28, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-28	32KX8 STANDARD SRAM, 100ns, CDIP28, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-28
是否无铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合
零件包装代码	DIP	DIP
包装说明	DIP, DIP28,.6	DIP, DIP28,.6
针数	28	28
Reach Compliance Code	unknown	unknown
ECCN代码	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C
最长访问时间	55 ns	100 ns
其他特性	AUTOMATIC POWER-DOWN	AUTOMATIC POWER-DOWN
I/O 类型	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-CDIP-T28	R-CDIP-T28
JESD-609代码	e0	e0
长度	37.145 mm	37.145 mm
内存密度	262144 bit	262144 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	8	8
功能数量	1	1
端口数量	1	1
端子数量	28	28
字数	32768 words	32768 words
字数代码	32000	32000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C
组织	32KX8	32KX8
输出特性	3-STATE	3-STATE
可输出	YES	YES
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	DIP	DIP
封装等效代码	DIP28,.6	DIP28,.6
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
筛选级别	38535Q/M;38534H;883B	38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度	5.84 mm	5.84 mm
最大待机电流	0.02 A	0.02 A
最小待机电流	4.5 V	4.5 V
最大压摆率	0.15 mA	0.15 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO
技术	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	15.24 mm	15.24 mm
Base Number Matches	1	1

推荐资源

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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