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1N5363B

产品描述Zener Diode; Configuration: Single; VZ Typ (V): 30; P Max (mW): 5000; Package: DO-27S
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小494KB,共5页
制造商Galaxy Microelectronics
标准
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1N5363B概述

Zener Diode; Configuration: Single; VZ Typ (V): 30; P Max (mW): 5000; Package: DO-27S

1N5363B规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
零件包装代码DO-27S
Reach Compliance Codeunknown
配置SINGLE
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗8 Ω
元件数量1
最高工作温度150 °C
最大功率耗散5 W
标称参考电压30 V
表面贴装NO
最大电压容差10%
工作测试电流40 mA
Base Number Matches1
类别
容差10%(suffix"B" for 5%)
VZ (V) nom.30
Condition1_IT (mA)40
PD (mW) max5000
AEC QualifiedNO
最高工作温度150
最低工作温度-55
是否无铅
符合ReachYES
符合RoHSYES
Package OutlinesDO-27S

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BL
FEATURES
power rating.
GALAXY ELECTRICAL
ZENER DIODES
1N5333B - - - 1N5388B
POWER DISSIPATION: 5.0 W
Silicon planar power zener diodes
For use in stabilizing and clipping curcuits with high
DO -
27S
Standard zener voltage tolerance is ±10%. Add
suffix "B" for ±5% tolerance. other zener voltage
and tolerances are available upon request.
MECHANICAL DATA
Case:DO-27S
Terminals: solderable per MIL-STD-202, method 208
Polarity: cathode Band
Marking: type number
Approx. weight:
0.032 ounces, 0.9 grams
Dimensions in millimeters
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase,half wave,60 Hz,resistive or inductive load. For capacitive load,derate by 20%.
SYMBOL
Zener current (see Table "Characteristics")
DC pow er dissipation @ T
L
=75, measure at zero lead length (Fig.1)
derate above 75 (NOTE 1)
Peak forw ard surge current 8.3ms single half sine-w ave superimposed on rated
load (JEDEC Method)(NOTE 1,2)
Junction temperature
VALUE
UNIT
P
D
I
FSM
T
J
T
s
5.0
40.0
see fig.5
-55---+150
-55---+150
W
mW
A
Storage temperature range
NOTES:
(1) Mounted on 8.0mm
2
copper pads to each terminal.
www.galaxycn.com
(2) 8.3ms single half sine-wav e, or equiv alent square wav e, duty cy cle=4 pulses per minute maximum.
Document Number
1784007
BL
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