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CY7C281A-45DMB

产品描述OTP ROM, 1KX8, 45ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, SLIM, CERDIP-24
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文件大小188KB,共6页
制造商Cypress(赛普拉斯)
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CY7C281A-45DMB概述

OTP ROM, 1KX8, 45ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, SLIM, CERDIP-24

CY7C281A-45DMB规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码DIP
包装说明DIP, DIP24,.3
针数24
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间45 ns
JESD-30 代码R-GDIP-T24
JESD-609代码e0
长度31.877 mm
内存密度8192 bit
内存集成电路类型OTP ROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量24
字数1024 words
字数代码1000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织1KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码DIP
封装等效代码DIP24,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度5.08 mm
最大待机电流0.12 A
最大压摆率0.12 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度7.62 mm
Base Number Matches1

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This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer

CY7C281A-45DMB相似产品对比

CY7C281A-45DMB CY7C281A-45KMB CY7C282A-45PC CY7C282A-30DMB CY7C281A-45JC CY7C281A-45DC
描述 OTP ROM, 1KX8, 45ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, SLIM, CERDIP-24 OTP ROM, 1KX8, 45ns, CMOS, CDFP24, CERPACK-24 OTP ROM, 1KX8, 45ns, CMOS, PDIP24, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-24 OTP ROM, 1KX8, 30ns, CMOS, CDIP24, 0.600 INCH, CERDIP-24 OTP ROM, 1KX8, 45ns, CMOS, PQCC28, PLASTIC, LCC-28 OTP ROM, 1KX8, 45ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, SLIM, CERDIP-24
是否Rohs认证 不符合 - 不符合 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 DIP DFP DIP DIP QLCC DIP
包装说明 DIP, DIP24,.3 DFP, FL24,.4 DIP, DIP24,.6 DIP, DIP24,.6 PLASTIC, LCC-28 DIP, DIP24,.3
针数 24 24 24 24 28 24
Reach Compliance Code not_compliant compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 45 ns 45 ns 45 ns 30 ns 45 ns 45 ns
JESD-30 代码 R-GDIP-T24 R-GDFP-F24 R-PDIP-T24 R-GDIP-T24 S-PQCC-J28 R-GDIP-T24
JESD-609代码 e0 - e0 e0 e0 e0
长度 31.877 mm 15.367 mm 31.623 mm 31.877 mm 11.5316 mm 31.877 mm
内存密度 8192 bit 8192 bit 8192 bit 8192 bit 8192 bit 8192 bit
内存集成电路类型 OTP ROM OTP ROM OTP ROM OTP ROM OTP ROM OTP ROM
内存宽度 8 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 24 24 24 24 28 24
字数 1024 words 1024 words 1024 words 1024 words 1024 words 1024 words
字数代码 1000 1000 1000 1000 1000 1000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 125 °C 70 °C 125 °C 70 °C 70 °C
组织 1KX8 1KX8 1KX8 1KX8 1KX8 1KX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED PLASTIC/EPOXY CERAMIC, GLASS-SEALED PLASTIC/EPOXY CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码 DIP DFP DIP DIP QCCJ DIP
封装等效代码 DIP24,.3 FL24,.4 DIP24,.6 DIP24,.6 LDCC28,.5SQ DIP24,.3
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR SQUARE RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE FLATPACK IN-LINE IN-LINE CHIP CARRIER IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 5.08 mm 2.286 mm 5.08 mm 5.715 mm 4.572 mm 5.08 mm
最大待机电流 0.12 A 0.12 A 0.09 A 0.12 A 0.09 A 0.09 A
最大压摆率 0.12 mA 0.12 mA 0.09 mA 0.12 mA 0.09 mA 0.09 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO YES NO NO YES NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY COMMERCIAL MILITARY COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE FLAT THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE J BEND THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 1.27 mm 2.54 mm 2.54 mm 1.27 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL QUAD DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 7.62 mm 9.652 mm 15.24 mm 15.24 mm 11.5316 mm 7.62 mm
厂商名称 - - Cypress(赛普拉斯) Cypress(赛普拉斯) Cypress(赛普拉斯) Cypress(赛普拉斯)

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