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IXTA1R6N50D2

产品描述Power Field-Effect Transistor, 2.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AA, PLASTIC PACKAGE-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小181KB,共5页
制造商IXYS
标准  
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IXTA1R6N50D2概述

Power Field-Effect Transistor, 2.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AA, PLASTIC PACKAGE-3

IXTA1R6N50D2规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码D2PAK
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数3
Reach Compliance Codenot_compliant
其他特性UL RECOGNIZED
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大漏源导通电阻2.3 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-263AA
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级2
元件数量1
端子数量2
工作模式DEPLETION MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)100 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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