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BF1201

产品描述Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小114KB,共16页
制造商Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
官网地址https://www.nxp.com/
标准
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BF1201概述

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

BF1201规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Reach Compliance Codeunknown
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)0.03 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高工作温度150 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)0.2 W
表面贴装YES
Base Number Matches1

 
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