Standard SRAM, 256KX8, 100ns, CMOS, PBGA36,
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
包装说明 | FBGA, BGA36,6X8,30 |
Reach Compliance Code | unknown |
最长访问时间 | 100 ns |
I/O 类型 | COMMON |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B36 |
JESD-609代码 | e0 |
内存密度 | 2097152 bit |
内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
内存宽度 | 8 |
端子数量 | 36 |
字数 | 262144 words |
字数代码 | 256000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 256KX8 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | FBGA |
封装等效代码 | BGA36,6X8,30 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, FINE PITCH |
并行/串行 | PARALLEL |
电源 | 3/3.3 V |
认证状态 | Not Qualified |
最小待机电流 | 1.5 V |
最大压摆率 | 0.025 mA |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 0.75 mm |
端子位置 | BOTTOM |
Base Number Matches | 1 |
IS62LV2568L-100BI | IS62LV2568L-100H | IS62LV2568L-100HI | IS62LV2568L-100B | IS62LV2568L-100T | IS62LV2568L-100TI | |
---|---|---|---|---|---|---|
描述 | Standard SRAM, 256KX8, 100ns, CMOS, PBGA36, | Standard SRAM, 256KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, | Standard SRAM, 256KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, | Standard SRAM, 256KX8, 100ns, CMOS, PBGA36, | Standard SRAM, 256KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, | Standard SRAM, 256KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
包装说明 | FBGA, BGA36,6X8,30 | TSSOP, TSSOP32,.56,20 | TSSOP, TSSOP32,.56,20 | FBGA, BGA36,6X8,30 | TSSOP, TSSOP32,.8,20 | TSSOP, TSSOP32,.8,20 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown | unknown | unknown |
最长访问时间 | 100 ns | 100 ns | 100 ns | 100 ns | 100 ns | 100 ns |
I/O 类型 | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B36 | R-PDSO-G32 | R-PDSO-G32 | R-PBGA-B36 | R-PDSO-G32 | R-PDSO-G32 |
JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 | e0 | e0 |
内存密度 | 2097152 bit | 2097152 bit | 2097152 bit | 2097152 bit | 2097152 bit | 2097152 bit |
内存集成电路类型 | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM |
内存宽度 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 |
端子数量 | 36 | 32 | 32 | 36 | 32 | 32 |
字数 | 262144 words | 262144 words | 262144 words | 262144 words | 262144 words | 262144 words |
字数代码 | 256000 | 256000 | 256000 | 256000 | 256000 | 256000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C | 70 °C | 85 °C | 70 °C | 70 °C | 85 °C |
组织 | 256KX8 | 256KX8 | 256KX8 | 256KX8 | 256KX8 | 256KX8 |
输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | FBGA | TSSOP | TSSOP | FBGA | TSSOP | TSSOP |
封装等效代码 | BGA36,6X8,30 | TSSOP32,.56,20 | TSSOP32,.56,20 | BGA36,6X8,30 | TSSOP32,.8,20 | TSSOP32,.8,20 |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, FINE PITCH | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | GRID ARRAY, FINE PITCH | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
电源 | 3/3.3 V | 3/3.3 V | 3/3.3 V | 3/3.3 V | 3/3.3 V | 3/3.3 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
最小待机电流 | 1.5 V | 1.5 V | 1.5 V | 1.5 V | 1.5 V | 1.5 V |
最大压摆率 | 0.025 mA | 0.02 mA | 0.025 mA | 0.02 mA | 0.02 mA | 0.025 mA |
表面贴装 | YES | YES | YES | YES | YES | YES |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL | COMMERCIAL | INDUSTRIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | INDUSTRIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | BALL | GULL WING | GULL WING | BALL | GULL WING | GULL WING |
端子节距 | 0.75 mm | 0.5 mm | 0.5 mm | 0.75 mm | 0.5 mm | 0.5 mm |
端子位置 | BOTTOM | DUAL | DUAL | BOTTOM | DUAL | DUAL |
Base Number Matches | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | - |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved