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HN3G01J-GR

产品描述TRANSISTOR N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, 2-3L1B, 5 PIN, FET General Purpose Small Signal
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小359KB,共5页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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HN3G01J-GR概述

TRANSISTOR N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, 2-3L1B, 5 PIN, FET General Purpose Small Signal

HN3G01J-GR规格参数

参数名称属性值
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5
针数5
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)0.15 A
配置SINGLE WITH BUILT-IN BIPOLAR TRANSISTOR
最小直流电流增益 (hFE)120
FET 技术JUNCTION
最大反馈电容 (Crss)3 pF
JESD-30 代码R-PDSO-G5
元件数量1
端子数量5
工作模式DEPLETION MODE
最高工作温度125 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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HN3G01J
TOSHIBA TRANSISTOR SILICON N CHANNEL JUNCTION TYPE FET SILICON NPN
EPITAXIAL TYPE TRANSISTOR
HN3G01J
High Frequency Amplifier Applications
AM High Frequency Amplifier Applications
Audio Frequency Amplifier Applications
Unit in mm
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Q1: FET
CHARACTERISTIC
Gate-Drain Voltage
Gate Current
SYMBOL
V
GDS
I
G
RATING
−20
10
UNIT
V
mA
Q2: TRANSISTOR
CHARACTERISTIC
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Base Current
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
C
EBO
I
C
I
B
RATING
60
50
5
150
30
UNIT
V
V
V
mA
mA
/
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
2−3L1B
Weight: 0.014 g (typ.)
Note:
Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high
temperature/current/voltage and the significant change in
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating
conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test
report and estimated failure rate, etc).
Common Ratings
CHARACTERISTIC
Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature Range
SYMBOL
P*
T
j
T
stg
RATING
200
125
–55~125
UNIT
mW
°C
°C
*:
Total Rating
1
2007-11-01

HN3G01J-GR相似产品对比

HN3G01J-GR HN3G01J-GR(TE85L) HN3G01J-GR(TE85L,F) HN3G01J-V HN3G01J-BL HN3G01J-BL(TE85L)
描述 TRANSISTOR N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, 2-3L1B, 5 PIN, FET General Purpose Small Signal Small Signal Field-Effect Transistor Small Signal Field-Effect Transistor TRANSISTOR N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, 2-3L1B, 5 PIN, FET General Purpose Small Signal TRANSISTOR N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, 2-3L1B, 5 PIN, FET General Purpose Small Signal Small Signal Field-Effect Transistor
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknow
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