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5962-8687522XA

产品描述Multi-Port SRAM, 1KX8, 35ns, CMOS, CDIP48, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, DIP-48
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制造商IDT (Integrated Device Technology)
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5962-8687522XA概述

Multi-Port SRAM, 1KX8, 35ns, CMOS, CDIP48, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, DIP-48

5962-8687522XA规格参数

参数名称属性值
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码DIP
包装说明DIP, DIP48,.6
针数48
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间35 ns
其他特性INTERRUPT FLAG; AUTOMATIC POWER-DOWN
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-CDIP-T48
JESD-609代码e0
长度60.96 mm
内存密度8192 bit
内存集成电路类型MULTI-PORT SRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量2
端子数量48
字数1024 words
字数代码1000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织1KX8
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DIP
封装等效代码DIP48,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Qualified
筛选级别38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度4.826 mm
最大待机电流0.004 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.23 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层TIN LEAD
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
宽度15.24 mm
Base Number Matches1

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HIGH SPEED
1K X 8 DUAL-PORT
STATIC SRAM
Features
x
IDT7130SA/LA
IDT7140SA/LA
x
x
High-speed access
– Military: 25/35/55/100ns (max.)
– Industrial: 55/100ns (max.)
– Commercial: 20/25/35/55/100ns (max.)
Low-power operation
– IDT7130/IDT7140SA
—
Active: 550mW (typ.)
—
Standby: 5mW (typ.)
– IDT7130/IDT7140LA
—
Active: 550mW (typ.)
—
Standby: 1mW (typ.)
MASTER IDT7130 easily expands data bus width to 16-or-
more-bits using SLAVE IDT7140
x
x
x
x
x
x
x
x
x
On-chip port arbitration logic (IDT7130 Only)
BUSY
output flag on IDT7130;
BUSY
input on IDT7140
INT
flag for port-to-port communication
Fully asynchronous operation from either port
Battery backup operation–2V data retention (LA only)
TTL-compatible, single 5V ±10% power supply
Military product compliant to MIL-PRF-38535 QML
Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available
for selected speeds
Available in 48-pin DIP and LCC, 52-pin PLCC, and 64-pin
STQFP and TQFP
Functional Block Diagram
OE
L
CE
L
R/W
L
OE
R
CE
R
R/W
R
I/O
0L
- I/O
7L
I/O
Control
BUSY
L
(1,2)
I/O
Control
I/O
0R
-I/O
7R
,
BUSY
R
Address
Decoder
10
(1,2)
A
9L
A
0L
MEMORY
ARRAY
10
Address
Decoder
A
9R
A
0R
CE
L
OE
L
R/W
L
ARBITRATION
and
INTERRUPT
LOGIC
CE
R
OE
R
R/W
R
INT
L
(2)
INT
R
2689 drw 01
(2)
NOTES:
1. IDT7130 (MASTER):
BUSY
is open drain output and requires pullup resistor.
IDT7140 (SLAVE):
BUSY
is input.
2. Open drain output: requires pullup resistor.
AUGUST 1999
1
DSC-2689/9

5962-8687522XA相似产品对比

5962-8687522XA 5962-8687503UA 5962-8687511UA 5962-8687515UA
描述 Multi-Port SRAM, 1KX8, 35ns, CMOS, CDIP48, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, DIP-48 Multi-Port SRAM, 1KX8, 55ns, CMOS, CQFP48, CERAMIC, QFP-48 Multi-Port SRAM, 1KX8, 55ns, CMOS, CQFP48, CERAMIC, QFP-48 Multi-Port SRAM, 1KX8, 55ns, CMOS, CQFP48, CERAMIC, QFP-48
零件包装代码 DIP QFP QFP QFP
包装说明 DIP, DIP48,.6 QFF, QFL48,.75SQ QFF, QFL48,.75SQ QFF, QFL48,.75SQ
针数 48 48 48 48
Reach Compliance Code compliant not_compliant not_compliant compliant
ECCN代码 3A001.A.2.C 3A001 3A001 3A001
最长访问时间 35 ns 55 ns 55 ns 55 ns
其他特性 INTERRUPT FLAG; AUTOMATIC POWER-DOWN INTERRUPT FLAG; AUTOMATIC POWER-DOWN INTERRUPT FLAG; AUTOMATIC POWER-DOWN INTERRUPT FLAG; AUTOMATIC POWER-DOWN
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-CDIP-T48 S-CQFP-F48 S-CQFP-F48 S-CQFP-F48
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
长度 60.96 mm 19.05 mm 19.05 mm 19.05 mm
内存密度 8192 bit 8192 bit 8192 bit 8192 bit
内存集成电路类型 MULTI-PORT SRAM MULTI-PORT SRAM MULTI-PORT SRAM MULTI-PORT SRAM
内存宽度 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1
端口数量 2 2 2 2
端子数量 48 48 48 48
字数 1024 words 1024 words 1024 words 1024 words
字数代码 1000 1000 1000 1000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
组织 1KX8 1KX8 1KX8 1KX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
可输出 YES YES YES YES
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码 DIP QFF QFF QFF
封装等效代码 DIP48,.6 QFL48,.75SQ QFL48,.75SQ QFL48,.75SQ
封装形状 RECTANGULAR SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 IN-LINE FLATPACK FLATPACK FLATPACK
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
电源 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Qualified Qualified Qualified Qualified
筛选级别 38535Q/M;38534H;883B 38535Q/M;38534H;883B 38535Q/M;38534H;883B 38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度 4.826 mm 2.7432 mm 2.7432 mm 2.7432 mm
最大待机电流 0.004 A 0.03 A 0.03 A 0.004 A
最小待机电流 2 V 4.5 V 4.5 V 2 V
最大压摆率 0.23 mA 0.23 mA 0.23 mA 0.185 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 THROUGH-HOLE FLAT FLAT FLAT
端子节距 2.54 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL QUAD QUAD QUAD
宽度 15.24 mm 19.05 mm 19.05 mm 19.05 mm
Base Number Matches 1 1 1 1
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) - IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)

 
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