SMJ44C251-1HJM概述

256KX4 VIDEO DRAM, 100ns, CDSO28, 0.400 INCH, CERAMIC, SOJ-28

SMJ44C251-1HJM规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码	SOJ
包装说明	SOJ,
针数	28
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	FAST PAGE
最长访问时间	100 ns
其他特性	CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH; 512 X 4 SAM PORT
JESD-30 代码	R-CDSO-J28
长度	18.542 mm
内存密度	1048576 bit
内存集成电路类型	VIDEO DRAM
内存宽度	4
功能数量	1
端口数量	2
端子数量	28
字数	262144 words
字数代码	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	256KX4
输出特性	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	SOJ
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
认证状态	Not Qualified
刷新周期	512
座面最大高度	4.521 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.25 V
最小供电电压 (Vsup)	4.75 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子形式	J BEND
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
宽度	10.541 mm
Base Number Matches	1

SMJ44C251-1HJM相似产品对比

	SMJ44C251-1HJM	SMJ44C251-2HJM	SMJ44C251-1JDM	SMJ44C251-2JDM
描述	256KX4 VIDEO DRAM, 100ns, CDSO28, 0.400 INCH, CERAMIC, SOJ-28	256KX4 VIDEO DRAM, 120ns, CDSO28, 0.400 INCH, CERAMIC, SOJ-28	256KX4 VIDEO DRAM, 100ns, CDIP28, 0.400 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28	256KX4 VIDEO DRAM, 120ns, CDIP28, 0.400 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28
厂商名称	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码	SOJ	SOJ	DIP	DIP
包装说明	SOJ,	SOJ,	DIP,	DIP,
针数	28	28	28	28
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FAST PAGE	FAST PAGE	FAST PAGE	FAST PAGE
最长访问时间	100 ns	120 ns	100 ns	120 ns
其他特性	CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH; 512 X 4 SAM PORT	CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH; 512 X 4 SAM PORT	CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH; 512 X 4 SAM PORT	CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH; 512 X 4 SAM PORT
JESD-30 代码	R-CDSO-J28	R-CDSO-J28	R-CDIP-T28	R-CDIP-T28
长度	18.542 mm	18.542 mm	36.83 mm	36.83 mm
内存密度	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit
内存集成电路类型	VIDEO DRAM	VIDEO DRAM	VIDEO DRAM	VIDEO DRAM
内存宽度	4	4	4	4
功能数量	1	1	1	1
端口数量	2	2	2	2
端子数量	28	28	28	28
字数	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words
字数代码	256000	256000	256000	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
组织	256KX4	256KX4	256KX4	256KX4
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	SOJ	SOJ	DIP	DIP
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	IN-LINE	IN-LINE
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	512	512	512	512
座面最大高度	4.521 mm	4.521 mm	4.445 mm	4.445 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.25 V	5.25 V	5.25 V	5.25 V
最小供电电压 (Vsup)	4.75 V	4.75 V	4.75 V	4.75 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	YES	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY
端子形式	J BEND	J BEND	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
宽度	10.541 mm	10.541 mm	10.16 mm	10.16 mm

推荐资源

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

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