PMBD2837T/R,PMBD2837T/R pdf中文资料,PMBD2837T/R引脚图,PMBD2837T/R电路-Datasheet-电子工程世界

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PMBD2837T/R: 产品描述DIODE 0.215 A, 35 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小51KB，共3页; 制造商NXP(恩智浦); 官网地址https://www.nxp.com

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PMBD2837T/R概述

DIODE 0.215 A, 35 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode

PMBD2837T/R规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	NXP(恩智浦)
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
配置	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1.2 V
JESD-30 代码	R-PDSO-G3
元件数量	2
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
最大输出电流	0.215 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
最大功率耗散	0.25 W
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	35 V
最大反向电流	0.1 µA
最大反向恢复时间	0.004 µs
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
Base Number Matches	1

PMBD2837T/R相似产品对比

	PMBD2837T/R	PMBD2838T/R
描述	DIODE 0.215 A, 35 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode	DIODE 0.215 A, 75 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode
Reach Compliance Code	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99
配置	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料	SILICON	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1.2 V	1.2 V
JESD-30 代码	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3
元件数量	2	2
端子数量	3	3
最高工作温度	150 °C	150 °C
最大输出电流	0.215 A	0.215 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
最大功率耗散	0.25 W	0.25 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	35 V	75 V
最大反向电流	0.1 µA	0.1 µA
最大反向恢复时间	0.004 µs	0.004 µs
表面贴装	YES	YES
端子形式	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL
Base Number Matches	1	1

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