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PMBD2838T/R

产品描述DIODE 0.215 A, 75 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小51KB,共3页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
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PMBD2838T/R概述

DIODE 0.215 A, 75 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode

PMBD2838T/R规格参数

参数名称属性值
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.2 V
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量2
端子数量3
最高工作温度150 °C
最大输出电流0.215 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
最大功率耗散0.25 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压75 V
最大反向电流0.1 µA
最大反向恢复时间0.004 µs
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
Base Number Matches1

PMBD2838T/R相似产品对比

PMBD2838T/R PMBD2837T/R
描述 DIODE 0.215 A, 75 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode DIODE 0.215 A, 35 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
配置 COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.2 V 1.2 V
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
元件数量 2 2
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
最大输出电流 0.215 A 0.215 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
最大功率耗散 0.25 W 0.25 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 75 V 35 V
最大反向电流 0.1 µA 0.1 µA
最大反向恢复时间 0.004 µs 0.004 µs
表面贴装 YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
Base Number Matches 1 1
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