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G21120V1EBC1S

产品描述Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小22KB,共1页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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G21120V1EBC1S概述

Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, Silicon,

G21120V1EBC1S规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Microsemi
包装说明R-XXMA-X
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置BRIDGE, 6 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-XXMA-X
元件数量6
相数3
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UNSPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1
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