MJD45H11TF_NL,MJD45H11TF_NL pdf中文资料,MJD45H11TF_NL引脚图,MJD45H11TF

MJD45H11TF_NL: 产品描述Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2 Pin, DPAK-3; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小40KB，共5页; 制造商Fairchild; 官网地址http://www.fairchildsemi.com/; 标准

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MJD45H11TF_NL概述

Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2 Pin, DPAK-3

	MJD45H11TF_NL	MJD45H11TM_NL	D45H11_NL
描述	Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2 Pin, DPAK-3	Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2 Pin, DPAK-3	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, LEAD FREE, TO-220, 3 PIN
零件包装代码	TO-252	TO-252	TO-220AB
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数	3	3	3
Reach Compliance Code	_compli	not_compliant	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99
是否Rohs认证	符合	符合	-
厂商名称	-	Fairchild	Fairchild
最大集电极电流 (IC)	-	8 A	10 A
集电极-发射极最大电压	-	80 V	80 V
配置	-	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	-	40	40
JEDEC-95代码	-	TO-252	TO-220AB
JESD-30 代码	-	R-PSSO-G2	R-PSFM-T3
JESD-609代码	-	e3	e3
元件数量	-	1	1
端子数量	-	2	3
封装主体材料	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	-	SMALL OUTLINE	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	-	PNP	PNP
认证状态	-	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	-	YES	NO
端子面层	-	Matte Tin (Sn)	MATTE TIN
端子形式	-	GULL WING	THROUGH-HOLE
端子位置	-	SINGLE	SINGLE
晶体管应用	-	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	-	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	-	40 MHz	40 MHz

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