Standard SRAM, 128KX36, 2.8ns, CMOS, PQFP100
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| 最长访问时间 | 2.8 ns |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 200 MHz |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-PQFP-G100 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 内存密度 | 4718592 bit |
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
| 内存宽度 | 36 |
| 端子数量 | 100 |
| 字数 | 131072 words |
| 字数代码 | 128000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 128KX36 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | QFP |
| 封装等效代码 | QFP100,.63X.87 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLATPACK |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 电源 | 3.3 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大待机电流 | 0.01 A |
| 最小待机电流 | 3.14 V |
| 最大压摆率 | 0.525 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 0.635 mm |
| 端子位置 | QUAD |
| Base Number Matches | 1 |
| MT58L128L36D1-5T | MT58L128L36D1-10T | MT58L128L36D1-10B | MT58L128L36D1-5B | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | Standard SRAM, 128KX36, 2.8ns, CMOS, PQFP100 | Standard SRAM, 128KX36, 5ns, CMOS, PQFP100 | Standard SRAM, 128KX36, 5ns, CMOS, PBGA119 | Standard SRAM, 128KX36, 2.8ns, CMOS, PBGA119 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant | not_compliant | not_compliant |
| 最长访问时间 | 2.8 ns | 5 ns | 5 ns | 2.8 ns |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 200 MHz | 100 MHz | 100 MHz | 200 MHz |
| I/O 类型 | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-PQFP-G100 | R-PQFP-G100 | R-PBGA-B119 | R-PBGA-B119 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 |
| 内存密度 | 4718592 bit | 4718592 bit | 4718592 bit | 4718592 bit |
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM |
| 内存宽度 | 36 | 36 | 36 | 36 |
| 端子数量 | 100 | 100 | 119 | 119 |
| 字数 | 131072 words | 131072 words | 131072 words | 131072 words |
| 字数代码 | 128000 | 128000 | 128000 | 128000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 128KX36 | 128KX36 | 128KX36 | 128KX36 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | QFP | QFP | BGA | BGA |
| 封装等效代码 | QFP100,.63X.87 | QFP100,.63X.87 | BGA119,7X17,50 | BGA119,7X17,50 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLATPACK | FLATPACK | GRID ARRAY | GRID ARRAY |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
| 电源 | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 最大待机电流 | 0.01 A | 0.01 A | 0.01 A | 0.01 A |
| 最小待机电流 | 3.14 V | 3.14 V | 3.14 V | 3.14 V |
| 最大压摆率 | 0.525 mA | 0.3 mA | 0.3 mA | 0.525 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES | YES | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING | BALL | BALL |
| 端子节距 | 0.635 mm | 0.635 mm | 1.27 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD | QUAD | BOTTOM | BOTTOM |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 | 1 |
电源技术
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RF/无线
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