Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> MT48LC4M32LFFC-10

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MT48LC4M32LFFC-10: 产品描述Synchronous DRAM, 4MX32, 7ns, CMOS, PBGA90, 11 X 13 MM, FBGA-90; 产品类别存储存储; 文件大小1MB，共61页; 制造商Micron Technology; 官网地址http://www.mdtic.com.tw/

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MT48LC4M32LFFC-10概述

Synchronous DRAM, 4MX32, 7ns, CMOS, PBGA90, 11 X 13 MM, FBGA-90

MT48LC4M32LFFC-10规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
零件包装代码	BGA
包装说明	TFBGA, BGA90,9X15,32
针数	90
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	7 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	100 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	1,2,4,8
JESD-30 代码	R-PBGA-B90
JESD-609代码	e0
长度	13 mm
内存密度	134217728 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度	32
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	90
字数	4194304 words
字数代码	4000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	4MX32
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装等效代码	BGA90,9X15,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	235
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	4096
座面最大高度	1.2 mm
自我刷新	YES
连续突发长度	1,2,4,8,FP
最大待机电流	0.00035 A
最大压摆率	0.18 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	11 mm
Base Number Matches	1

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ADVANCE

‡

128Mb: x16, x32

MOBILE SDRAM

SYNCHRONOUS

DRAM

FEATURES

• Temperature Compensated Self Refresh (TCSR)

• Fully synchronous; all signals registered on positive

edge of system clock

• Internal pipelined operation; column address can be

changed every clock cycle

• Internal banks for hiding row access/precharge

• Programmable burst lengths: 1, 2, 4, 8, or full page

• Auto Precharge, includes CONCURRENT AUTO

PRECHARGE, and Auto Refresh Modes

• Self Refresh Mode; standard and low power

• 64ms, 4,096-cycle refresh

• LVTTL-compatible inputs and outputs

• Low voltage power supply

• Partial Array Self Refresh power-saving mode

• Operating Temperature Range

Industrial (-40

C to +85

MT48LC8M16LFFF, MT48V8M16LFFF – 2 Meg x 16 x 4 banks

MT48LC4M32LFFC , MT48V4M32LFFC – 1 Meg x 32 x 4 banks

For the latest data sheet revisions, please refer to the Micron Web

site:

www.micron.com/dramds

PIN ASSIGNMENT (Top View)

54-Ball VFBGA

DQ15

DQ0

DQ14

DQ13

DQ2

DQ1

DQ12

DQ11

DQ4

DQ3

DQ10

DQ9

DQ6

DQ5

DQ8

LDQM

DQ7

UDQM

CLK

CKE

CAS#

RAS#

WE#

OPTIONS

• V

3.3V/3.3V

2.5V/2.5V or 1.8V

• Configurations

8 Meg x 16 (2 Meg x 16 x 4 banks)

4 Meg x 32 (1 Meg x 32 x 4 banks)

• Package/Ball out

Plastic Package

54-ball FBGA (8mm x 9mm)(x16 only)

90-ball FBGA (11mm x 13mm)

• Timing (Cycle Time)

8ns @ CL = 3 (125 MHz)

10ns @ CL = 3 (100 MHz)

Part Number Example:

MARKING

8M16

4M32

NC/A12

A11

BA0

BA1

CS#

A10

Top View

(Ball Down)

-8

-10

Configuration

Refresh Count

Row Addressing

Bank Addressing

Column Addressing

8 Meg x 16

4 Meg x 32

2 Meg x 16 x 4 banks 1 Meg x 32 x 4 banks

4K (A0–A11)

4 (BA0, BA1)

512 (A0–A8)

256 (A0–A7)

MT48V8M16LFFC-8

NOTE:

1. See page 61 for FBGA/VFBGA Device Marking

Table.

KEY TIMING PARAMETERS

SPEED

CLOCK

ACCESS TIME

GRADE FREQUENCY CL=1* CL=2* CL=3*

-8

-10

-8

-10

-8

-10

125 MHz

100 MHz

83 MHz

50 MHz

40 MHz

–

19ns

22ns

–

8ns

–

7ns

–

RCD

20ns

*CL = CAS (READ) latency

128Mb: x16, x32 Mobile SDRAM

MobileY95W_3V_F.p65 – Rev. F; Pub. 9/02

‡

Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.

PRODUCTS AND SPECIFICATIONS DISCUSSED HEREIN ARE FOR EVALUATION AND REFERENCE PUROPOSES ONLY AND ARE SUBJECT TO CHANGE BY

MICRON WITHOUT NOTICE. PRODUCTS ARE ONLY WARRANTED BY MICRON TO MEET MICRON'S PRODUCTION AND DATA SHEET SPECIFICATIONS.

MT48LC4M32LFFC-10相似产品对比

	MT48LC4M32LFFC-10	MT48LC8M16LFFC-8	MT48LC4M32LFFC-8	MT48V8M16LFFC-8	MT48LC8M16LFFF-8	MT48V8M16LFFF-8	MT48LC8M16LFFF-10	MT48LC8M16LFFC-10	MT48V8M16LFFC-10
描述	Synchronous DRAM, 4MX32, 7ns, CMOS, PBGA90, 11 X 13 MM, FBGA-90	Synchronous DRAM, 8MX16, 7ns, CMOS, PBGA90, 11 X 13 MM, PLASTIC, FBGA-90	Synchronous DRAM, 4MX32, 7ns, CMOS, PBGA90, 11 X 13 MM, FBGA-90	Synchronous DRAM, 8MX16, 7ns, CMOS, PBGA90, 11 X 13 MM, PLASTIC, FBGA-90	Synchronous DRAM, 8MX16, 7ns, CMOS, PBGA54, 8 X 9 MM, FBGA-54	Synchronous DRAM, 8MX16, 7ns, CMOS, PBGA54, 8 X 9 MM, FBGA-54	Synchronous DRAM, 8MX16, 7ns, CMOS, PBGA54, 8 X 9 MM, FBGA-54	Synchronous DRAM, 8MX16, 7ns, CMOS, PBGA90, 11 X 13 MM, PLASTIC, FBGA-90	Synchronous DRAM, 8MX16, 7ns, CMOS, PBGA90, 11 X 13 MM, PLASTIC, FBGA-90
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
包装说明	TFBGA, BGA90,9X15,32	TFBGA,	11 X 13 MM, FBGA-90	TFBGA,	8 X 9 MM, FBGA-54	8 X 9 MM, FBGA-54	8 X 9 MM, FBGA-54	TFBGA,	TFBGA,
针数	90	90	90	90	54	54	54	90	90
Reach Compliance Code	not_compliant	compliant	unknown	unknown	unknown	not_compliant	not_compliant	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	7 ns	7 ns	7 ns	7 ns	7 ns	7 ns	7 ns	7 ns	7 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-PBGA-B90	R-PBGA-B90	R-PBGA-B90	R-PBGA-B90	R-PBGA-B54	R-PBGA-B54	R-PBGA-B54	R-PBGA-B90	R-PBGA-B90
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
长度	13 mm	13 mm	13 mm	13 mm	9 mm	9 mm	9 mm	13 mm	13 mm
内存密度	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度	32	16	32	16	16	16	16	16	16
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	90	90	90	90	54	54	54	90	90
字数	4194304 words	8388608 words	4194304 words	8388608 words	8388608 words	8388608 words	8388608 words	8388608 words	8388608 words
字数代码	4000000	8000000	4000000	8000000	8000000	8000000	8000000	8000000	8000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	85 °C	70 °C	85 °C	70 °C	70 °C	70 °C	85 °C	85 °C
组织	4MX32	8MX16	4MX32	8MX16	8MX16	8MX16	8MX16	8MX16	8MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.1 mm	1.1 mm	1.1 mm	1.2 mm	1.2 mm
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	2.7 V	3.6 V	2.7 V	3.6 V	3.6 V	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	2.3 V	3 V	2.3 V	3 V	3 V	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	2.5 V	3.3 V	2.5 V	3.3 V	3.3 V	2.5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	TIN LEAD	Tin/Lead (Sn/Pb)	TIN LEAD	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	TIN LEAD	TIN LEAD
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
宽度	11 mm	11 mm	11 mm	11 mm	8 mm	8 mm	8 mm	11 mm	11 mm
是否Rohs认证	不符合	-	不符合	-	不符合	不符合	不符合	-	-
最大时钟频率 (fCLK)	100 MHz	-	125 MHz	-	125 MHz	125 MHz	100 MHz	-	-
I/O 类型	COMMON	-	COMMON	-	COMMON	COMMON	COMMON	-	-
交错的突发长度	1,2,4,8	-	1,2,4,8	-	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8	-	-
输出特性	3-STATE	-	3-STATE	-	3-STATE	3-STATE	3-STATE	-	-
封装等效代码	BGA90,9X15,32	-	BGA90,9X15,32	-	BGA54,9X9,32	BGA54,9X9,32	BGA54,9X9,32	-	-
峰值回流温度（摄氏度）	235	-	235	-	235	235	235	-	-
电源	3.3 V	-	3.3 V	-	3.3 V	1.8/2.5,2.5 V	3.3 V	-	-
刷新周期	4096	-	4096	-	4096	4096	4096	-	-
连续突发长度	1,2,4,8,FP	-	1,2,4,8,FP	-	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	-	-
最大待机电流	0.00035 A	-	0.00035 A	-	0.00035 A	0.00035 A	0.00035 A	-	-
最大压摆率	0.18 mA	-	0.22 mA	-	0.21 mA	0.21 mA	0.17 mA	-	-
处于峰值回流温度下的最长时间	30	-	30	-	30	30	30	-	-
厂商名称	-	-	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology

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Multisim10.0通过虚拟仪器助力电子设计测试

美国国家仪器公司下属的Electronics Workbench Group发布了Multisim 10.0和Ultiboard 10.0——这是交互式SPICE仿真和电路分析软件的最新版本，专用于原理图捕获、交互式仿真、电路板设计和集成测试。这个平台将虚拟仪器技术的灵活性扩展到了电子设计者的工作台上，弥补了测试与设计功能之间的缺口。通过将NI Multisim 10.0电路仿真软件和Lab...[详细]

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