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IDT61B98S12TDB

产品描述Standard SRAM, 16KX4, 12ns, BICMOS, CDIP24, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-24
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文件大小133KB,共6页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT61B98S12TDB概述

Standard SRAM, 16KX4, 12ns, BICMOS, CDIP24, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-24

IDT61B98S12TDB规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码DIP
包装说明0.300 INCH, CERAMIC, DIP-24
针数24
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间12 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-GDIP-T24
JESD-609代码e0
长度32.004 mm
内存密度65536 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度4
功能数量1
端口数量1
端子数量24
字数16384 words
字数代码16000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织16KX4
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码DIP
封装等效代码DIP24,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度5.08 mm
最大待机电流0.17 A
最大压摆率0.17 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术BICMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度7.62 mm
Base Number Matches1

IDT61B98S12TDB相似产品对比

IDT61B98S12TDB IDT61B98S15TDB IDT61B98S10TD IDT61B98S10TDB IDT61B98S8TP
描述 Standard SRAM, 16KX4, 12ns, BICMOS, CDIP24, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-24 Standard SRAM, 16KX4, 15ns, BICMOS, CDIP24, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-24 Standard SRAM, 16KX4, 10ns, BICMOS, CDIP24, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-24 Standard SRAM, 16KX4, 10ns, BICMOS, CDIP24, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-24 Standard SRAM, 16KX4, 8ns, BICMOS, PDIP24, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-24
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 DIP DIP DIP DIP DIP
包装说明 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-24 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-24 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-24 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-24 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-24
针数 24 24 24 24 24
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant
ECCN代码 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C EAR99 3A001.A.2.C EAR99
最长访问时间 12 ns 15 ns 10 ns 10 ns 8 ns
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-GDIP-T24 R-GDIP-T24 R-GDIP-T24 R-GDIP-T24 R-PDIP-T24
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0
长度 32.004 mm 32.004 mm 32.004 mm 32.004 mm 31.6865 mm
内存密度 65536 bit 65536 bit 65536 bit 65536 bit 65536 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 4 4 4 4 4
功能数量 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1
端子数量 24 24 24 24 24
字数 16384 words 16384 words 16384 words 16384 words 16384 words
字数代码 16000 16000 16000 16000 16000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 125 °C 70 °C 125 °C 70 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C - -55 °C -
组织 16KX4 16KX4 16KX4 16KX4 16KX4
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
可输出 YES YES YES YES YES
封装主体材料 CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP DIP DIP DIP DIP
封装等效代码 DIP24,.3 DIP24,.3 DIP24,.3 DIP24,.3 DIP24,.3
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 5.08 mm 5.08 mm 5.08 mm 5.08 mm 4.191 mm
最大待机电流 0.17 A 0.17 A 0.18 A 0.19 A 0.2 A
最大压摆率 0.17 mA 0.17 mA 0.18 mA 0.19 mA 0.2 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO NO NO
技术 BICMOS BICMOS BICMOS BICMOS BICMOS
温度等级 MILITARY MILITARY COMMERCIAL MILITARY COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm
筛选级别 38535Q/M;38534H;883B 38535Q/M;38534H;883B - 38535Q/M;38534H;883B -
厂商名称 - - IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)
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