Non-Volatile SRAM, 32KX8, 55ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOP1-28
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 包装说明 | SOP, SOP28,.5 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 55 ns |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G28 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 18.1 mm |
| 内存密度 | 262144 bit |
| 内存集成电路类型 | NON-VOLATILE SRAM |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 28 |
| 字数 | 32768 words |
| 字数代码 | 32000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 32KX8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOP |
| 封装等效代码 | SOP28,.5 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 240 |
| 电源 | 3/3.3 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 2.54 mm |
| 最大待机电流 | 0.001 A |
| 最大压摆率 | 0.032 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn85Pb15) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 8.75 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| UL635H256SK55 | UL635H256SC55 | UL635H256SK55G1 | UL635H256SC55G1 | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | Non-Volatile SRAM, 32KX8, 55ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOP1-28 | Non-Volatile SRAM, 32KX8, 55ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOP1-28 | Non-Volatile SRAM, 32KX8, 55ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOP1-28 | Non-Volatile SRAM, 32KX8, 55ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOP1-28 |
| 包装说明 | SOP, SOP28,.5 | SOP, SOP28,.5 | SOP, | SOP, |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 55 ns | 55 ns | 55 ns | 55 ns |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G28 | R-PDSO-G28 | R-PDSO-G28 | R-PDSO-G28 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e3 | e3 |
| 长度 | 18.1 mm | 18.1 mm | 18.1 mm | 18.1 mm |
| 内存密度 | 262144 bit | 262144 bit | 262144 bit | 262144 bit |
| 内存集成电路类型 | NON-VOLATILE SRAM | NON-VOLATILE SRAM | NON-VOLATILE SRAM | NON-VOLATILE SRAM |
| 内存宽度 | 8 | 8 | 8 | 8 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 28 | 28 | 28 | 28 |
| 字数 | 32768 words | 32768 words | 32768 words | 32768 words |
| 字数代码 | 32000 | 32000 | 32000 | 32000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C | 70 °C | 85 °C | 70 °C |
| 组织 | 32KX8 | 32KX8 | 32KX8 | 32KX8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOP | SOP | SOP | SOP |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 240 | 240 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V | 3.6 V | 3.6 V | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V | 2.7 V | 2.7 V | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3 V | 3 V | 3 V | 3 V |
| 表面贴装 | YES | YES | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | COMMERCIAL | INDUSTRIAL | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn85Pb15) | Tin/Lead (Sn85Pb15) | MATTE TIN | MATTE TIN |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
| 端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 8.75 mm | 8.75 mm | 8.75 mm | 8.75 mm |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 | - |
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