Standard SRAM, 1MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| 最长访问时间 | 0.45 ns |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 200 MHz |
| I/O 类型 | SEPARATE |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B165 |
| JESD-609代码 | e1 |
| 内存密度 | 18874368 bit |
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
| 内存宽度 | 18 |
| 湿度敏感等级 | 3 |
| 端子数量 | 165 |
| 字数 | 1048576 words |
| 字数代码 | 1000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 1MX18 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | BGA |
| 封装等效代码 | BGA165,11X15,40 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 电源 | 1.5/1.8,1.8 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大待机电流 | 0.37 A |
| 最小待机电流 | 1.7 V |
| 最大压摆率 | 0.8 mA |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 1 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| Base Number Matches | 1 |
| 71P79804200BQGI | 71P79804200BQG | 71P79804250BQGI8 | 71P79804250BQG8 | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | Standard SRAM, 1MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165 | Standard SRAM, 1MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165 | Standard SRAM, 1MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165 | Standard SRAM, 1MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 | 符合 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant | compliant |
| 最长访问时间 | 0.45 ns | 0.45 ns | 0.45 ns | 0.45 ns |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 200 MHz | 200 MHz | 250 MHz | 250 MHz |
| I/O 类型 | SEPARATE | SEPARATE | SEPARATE | SEPARATE |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B165 | R-PBGA-B165 | R-PBGA-B165 | R-PBGA-B165 |
| JESD-609代码 | e1 | e1 | e1 | e1 |
| 内存密度 | 18874368 bit | 18874368 bit | 18874368 bit | 18874368 bit |
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM |
| 内存宽度 | 18 | 18 | 18 | 18 |
| 湿度敏感等级 | 3 | 3 | 3 | 3 |
| 端子数量 | 165 | 165 | 165 | 165 |
| 字数 | 1048576 words | 1048576 words | 1048576 words | 1048576 words |
| 字数代码 | 1000000 | 1000000 | 1000000 | 1000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C | 70 °C | 85 °C | 70 °C |
| 组织 | 1MX18 | 1MX18 | 1MX18 | 1MX18 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | BGA | BGA | BGA | BGA |
| 封装等效代码 | BGA165,11X15,40 | BGA165,11X15,40 | BGA165,11X15,40 | BGA165,11X15,40 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY | GRID ARRAY | GRID ARRAY | GRID ARRAY |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
| 电源 | 1.5/1.8,1.8 V | 1.5/1.8,1.8 V | 1.5/1.8,1.8 V | 1.5/1.8,1.8 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 最大待机电流 | 0.37 A | 0.335 A | 0.41 A | 0.375 A |
| 最小待机电流 | 1.7 V | 1.7 V | 1.7 V | 1.7 V |
| 最大压摆率 | 0.8 mA | 0.75 mA | 0.9 mA | 0.85 mA |
| 表面贴装 | YES | YES | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | COMMERCIAL | INDUSTRIAL | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式 | BALL | BALL | BALL | BALL |
| 端子节距 | 1 mm | 1 mm | 1 mm | 1 mm |
| 端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 | 1 |
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