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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> CMLT3820GTR
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CMLT3820GTR

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PICOMINI-6
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小509KB，共2页
制造商Central Semiconductor
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CMLT3820GTR概述

Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PICOMINI-6

CMLT3820GTR规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数6
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)1 A
集电极-发射极最大电压60 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)100
JESD-30 代码R-PDSO-F6
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量6
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.25 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)150 MHz
Base Number Matches1

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CMLT3820G
SURFACE MOUNT
VERY LOW VCE(SAT)
NPN SILICON TRANSISTOR
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMLT3820G is
a very low VCE(SAT) NPN Transistor, designed for
applications where small size and efficiency are the
prime requirements. Packaged in a space saving
PICOmini™ SOT-563 surface mount package, this
component provides performance characteristics
suitable for the most demanding size constrained
applications.
MARKING CODE: 38G
FEATURES:
•
Device is
Halogen Free
by design
•
High Current (IC=1.0A)
•
VCE(SAT)=0.28V MAX @ IC=1.0A
SOT-563 CASE
APPLICATIONS:
•
DC/DC Converters
•
Voltage Clamping
•
Protection Circuits
•
Battery powered Cell Phones, Pagers,
Digital Cameras, PDAs, Laptops, etc.
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Peak Collector Current
Continuous Base Current
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
•
PICOmini™ SOT563 surface mount package
•
Complementary PNP device
CMLT7820G
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
80
60
5.0
1.0
2.0
300
250
-65 to +150
500
MAX
100
100
UNITS
V
V
V
A
A
mA
mW
°C
°C/W
UNITS
nA
nA
V
V
V
V
V
V
V
V
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
ICBO
VCB=60V
IEBO
VEB=5.0V
BVCBO
IC=100µA
80
BVCEO
IC=10mA
60
BVEBO
5.0
IE=100µA
VCE(SAT)
IC=100mA, IB=1.0mA
VCE(SAT)
IC=500mA, IB=50mA
VCE(SAT)
IC=1.0A, IB=100mA
VBE(SAT)
IC=1.0A, IB=50mA
VBE(ON)
VCE=5.0V, IC=1.0A
hFE
VCE=5.0V, IC=1.0mA
200
hFE
VCE=5.0V, IC=500mA
200
hFE
VCE=5.0V, IC=1.0A
100
fT
VCE=10V, IC=50mA
150
Cob
VCB=10V, IE=0, f=1.0MHz
0.115
0.15
0.28
1.1
0.9
10
MHz
pF
R2 (20-January 2010)

CMLT3820GTR相似产品对比

CMLT3820GTR CMLT3820GLEADFREE CMLT3820GBK
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PICOMINI-6 Transistor Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PICOMINI-6
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6 , SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
Reach Compliance Code not_compliant compliant not_compliant
是否Rohs认证 不符合 - 不符合
针数 6 - 6
ECCN代码 EAR99 - EAR99
最大集电极电流 (IC) 1 A - 1 A
集电极-发射极最大电压 60 V - 60 V
配置 SINGLE - SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 100 - 100
JESD-30 代码 R-PDSO-F6 - R-PDSO-F6
JESD-609代码 e0 - e0
元件数量 1 - 1
端子数量 6 - 6
最高工作温度 150 °C - 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN - NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.25 W - 0.25 W
认证状态 Not Qualified - Not Qualified
表面贴装 YES - YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 FLAT - FLAT
端子位置 DUAL - DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING - SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON - SILICON
标称过渡频率 (fT) 150 MHz - 150 MHz
Base Number Matches 1 1 -

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器件捷径:   A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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