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CMPF4416ALEADFREE

产品描述RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Junction FET, SOT-23, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小323KB,共2页
制造商Central Semiconductor
标准  
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CMPF4416ALEADFREE概述

RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Junction FET, SOT-23, 3 PIN

CMPF4416ALEADFREE规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码SOT-23
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
配置SINGLE
最小漏源击穿电压35 V
FET 技术JUNCTION
最大反馈电容 (Crss)1.2 pF
最高频带VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
工作模式DEPLETION MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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CMPF4416A
SURFACE MOUNT
N-CHANNEL
SILICON JFET
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPF4416A type
is an epoxy molded N-Channel Silicon Junction Field
Effect Transistor manufactured in an SOT-23 case,
designed for VHF amplifier and mixer applications.
MARKING CODE: 6BG
SOT-23 CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Gate Current
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
SYMBOL
VDS
VGS
IG
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
35
35
10
350
-65 to +150
357
UNITS
V
V
mA
mW
°C
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
IGSS
VGS=20V
IDSS
VDS=15V, VGS=0
5.0
BVGSS
IG=1.0μA
35
VGS(off)
VDS=15V, ID=1.0nA
2.5
gFS
Ciss
Crss
NF
VDS=15V,
VDS=15V,
VDS=15V,
VGS=0, f=1.0kHz
VGS=0, f=1.0MHz
VGS=0, f=1.0MHz
4.5
MAX
1.0
15
6.0
7.5
4.5
1.2
2.5
UNITS
nA
mA
V
V
mS
pF
pF
dB
VDS=15V, VGS=0, f=1.0kHz, RG=1.0MΩ
R5 (27-January 2010)

 
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