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CMUDM8004BK

产品描述Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小394KB,共2页
制造商Central Semiconductor
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CMUDM8004BK概述

Transistor

CMUDM8004BK规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Reach Compliance Codeunknown
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)0.45 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)0.25 W
表面贴装YES
Base Number Matches1

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CMUDM8004
SURFACE MOUNT
P-CHANNEL
ENHANCEMENT-MODE
SILICON MOSFET
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMUDM8004
is an Enhancement-mode P-Channel MOSFET,
manufactured by the P-Channel DMOS Process,
designed for high speed pulsed amplifier and driver
applications. This MOSFET offers Low rDS(on) and
Low Theshold Voltage.
MARKING CODE: 84C
SOT-523 CASE
• Devices are
Halogen Free
by design
APPLICATIONS:
• Load/Power Switches
• Power Supply Converter Circuits
• Battery Powered Portable Devices
MAXIMUM RATING:
(TA=25°C)
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
FEATURES:
• ESD Protection up to 2kV
• Low rDS(on)
• Low Threshold Voltage
• Logic Level Compatible
• Small, SOT-523 Surface Mount Package
• Complimentary N-Channel MOSFET: CMUDM7004
SYMBOL
VDS
VGS
ID
PD
TJ, Tstg
UNITS
V
V
mA
mW
°C
UNITS
μA
μA
V
1.0
1.1
1.0
1.5
2.6
0.88
0.35
0.128
200
8.0
45
9.0
10
55
15
1.1
2.0
3.3
V
V
Ω
Ω
Ω
nC
nC
nC
mS
pF
pF
pF
30
8.0
450
250
-65 to +150
MAX
3.0
1.0
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
IGSSF, IGSSR VGS=8.0V, VDS=0
IDSS
VDS=30V, VGS=0
BVDSS
VGS(th)
VSD
rDS(ON)
rDS(ON)
rDS(ON)
Qg(tot)
Qgs
Qgd
gFS
Crss
Ciss
Coss
VGS=0, ID=100μA
VDS=VGS, ID=250μA
VGS=0, IS=100mA
VGS=4.5V, ID=430mA
VGS=2.5V,
VGS=1.8V,
ID=200mA
ID=100mA
30
0.5
VDS=10V, VGS=4.5V, ID=1.0A
VDS=10V, VGS=4.5V, ID=1.0A
VDS=10V, VGS=4.5V, ID=1.0A
VDS =10V, ID=100mA
VDS=25V, VGS=0, f=1.0MHz
VDS=25V, VGS=0, f=1.0MHz
VDS=25V, VGS=0, f=1.0MHz
R3 (2-August 2011)

CMUDM8004BK相似产品对比

CMUDM8004BK CMUDM8004BKLEADFREE CMUDM8004TRLEADFREE
描述 Transistor Transistor Transistor
是否Rohs认证 不符合 符合 符合
Reach Compliance Code unknown compliant compliant
配置 Single Single Single
最大漏极电流 (Abs) (ID) 0.45 A 0.45 A 0.45 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 0.25 W 0.25 W 0.25 W
表面贴装 YES YES YES
Base Number Matches 1 1 -
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