Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET
参数名称 | 属性值 |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
Reach Compliance Code | unknown |
其他特性 | LOW NOISE |
配置 | SINGLE |
FET 技术 | JUNCTION |
最大反馈电容 (Crss) | 2 pF |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | DEPLETION MODE |
最高工作温度 | 135 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | P-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
SST5460T1 | SST5460T2 | |
---|---|---|
描述 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET | Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown |
其他特性 | LOW NOISE | LOW NOISE |
配置 | SINGLE | SINGLE |
FET 技术 | JUNCTION | JUNCTION |
最大反馈电容 (Crss) | 2 pF | 2 pF |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 | R-PDSO-G3 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 3 |
工作模式 | DEPLETION MODE | DEPLETION MODE |
最高工作温度 | 135 °C | 135 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | P-CHANNEL | P-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | YES | YES |
端子形式 | GULL WING | GULL WING |
端子位置 | DUAL | DUAL |
晶体管应用 | AMPLIFIER | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
Base Number Matches | 1 | 1 |
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