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MT8LSDT864HG-13EB5

产品描述Synchronous DRAM Module, 8MX64, 5.4ns, CMOS, DIMM-144
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文件大小276KB,共22页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
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MT8LSDT864HG-13EB5概述

Synchronous DRAM Module, 8MX64, 5.4ns, CMOS, DIMM-144

MT8LSDT864HG-13EB5规格参数

参数名称属性值
零件包装代码DIMM
包装说明,
针数144
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间5.4 ns
其他特性AUTO REFRESH, SELF REFRESH
JESD-30 代码R-XDMA-N144
内存密度536870912 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度64
功能数量1
端口数量1
端子数量144
字数8388608 words
字数代码8000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织8MX64
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态Not Qualified
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子位置DUAL
Base Number Matches1

MT8LSDT864HG-13EB5相似产品对比

MT8LSDT864HG-13EB5 MT8LSDT864HG-133B5 MT8LSDT864LHG-133B5 MT8LSDT864LHG-662B5 MT8LSDT864HG-662B5 MT8LSDT864LHG-13EB5
描述 Synchronous DRAM Module, 8MX64, 5.4ns, CMOS, DIMM-144 Synchronous DRAM Module, 8MX64, 6ns, CMOS, DIMM-144 Synchronous DRAM Module, 8MX64, 6ns, CMOS, DIMM-144 Synchronous DRAM Module, 8MX64, 9ns, CMOS, DIMM-144 Synchronous DRAM Module, 8MX64, 9ns, CMOS, DIMM-144 Synchronous DRAM Module, 8MX64, 5.4ns, CMOS, DIMM-144
零件包装代码 DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM
针数 144 144 144 144 144 144
Reach Compliance Code unknown unknow unknow unknown unknown unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间 5.4 ns 6 ns 6 ns 9 ns 9 ns 5.4 ns
其他特性 AUTO REFRESH, SELF REFRESH AUTO REFRESH, SELF REFRESH AUTO REFRESH, SELF REFRESH AUTO REFRESH, SELF REFRESH AUTO REFRESH, SELF REFRESH AUTO REFRESH, SELF REFRESH
JESD-30 代码 R-XDMA-N144 R-XDMA-N144 R-XDMA-N144 R-XDMA-N144 R-XDMA-N144 R-XDMA-N144
内存密度 536870912 bit 536870912 bi 536870912 bi 536870912 bit 536870912 bit 536870912 bi
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度 64 64 64 64 64 64
功能数量 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 144 144 144 144 144 144
字数 8388608 words 8388608 words 8388608 words 8388608 words 8388608 words 8388608 words
字数代码 8000000 8000000 8000000 8000000 8000000 8000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 8MX64 8MX64 8MX64 8MX64 8MX64 8MX64
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
自我刷新 YES YES YES YES YES YES
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
厂商名称 - Micron Technology Micron Technology Micron Technology Micron Technology Micron Technology
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