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RN1708JE(TPL3)

产品描述PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-353VAR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小329KB,共6页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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RN1708JE(TPL3)概述

PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-353VAR

RN1708JE(TPL3)规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)0.1 A
最小直流电流增益 (hFE)80
元件数量2
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.1 W
表面贴装YES
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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RN1707JE~RN1709JE
TOSHIBA Transistor
Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor Built-in Transistor)
RN1707JE,RN1708JE,RN1709JE
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and
Driver Circuit Applications
Two devices are incorporated into an Extreme-Super-Mini (5-pin)
package.
Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count.
Reducing the parts count enables the manufacture of ever more
compact equipment and lowers assembly cost.
A wide range of resistor values is available to use in various circuit
designs.
Complementary to RN2707JE to RN2709JE
1.BASE1
(B1)
2.EMITTER
(E)
3.BASE2
(B2)
4.COLLECTOR2 (C2)
5.COLLECTOR1 (C1)
R2 (kΩ)
47
47
22
Unit: mm
Equivalent Circuit and Bias Resistor Values
C
Type No.
RN1707JE
RN1708JE
R1 (kΩ)
10
22
47
B
R1
R2
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
Weight:3mg (typ.)
2-2P1D
RN1709JE
E
Equivalent Circuit
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
(Q1, Q2 common)
Characteristics
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
RN1707JE to 1709JE
RN1707JE
Emitter-base voltage
RN1708JE
RN1709JE
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
RN1707JE to 1709JE
I
C
P
C
(Note 1)
T
j
T
stg
V
EBO
Symbol
V
CBO
V
CEO
Rating
50
50
6
7
15
100
100
150
−55
to150
mA
mW
°C
°C
V
Unit
V
V
1
2
3
(top view)
5
Q1
4
Q2
Note:
Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly
even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute
maximum ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test
report and estimated failure rate, etc).
Note 1: Total rating
1
2010-05-19

RN1708JE(TPL3)相似产品对比

RN1708JE(TPL3) RN1707JE(TE85L) RN1707JE(TE85L,F) RN1707JE(TPL3,F) RN1708JE(TE85L) RN1708JE(TE85L,F) RN1709JE(TE85L) RN1709JE(TPL3,F) RN1709JE(TE85L,F)
描述 PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-353VAR RN1707JE(TE85L) PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-353VAR PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-353VAR RN1708JE(TE85L) PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-353VAR RN1709JE(TE85L) PRE-BIASED \"DIGITAL\" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-353VAR PRE-BIASED \"DIGITAL\" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-353VAR
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
是否Rohs认证 不符合 - 符合 符合 - 符合 - 符合 符合
最大集电极电流 (IC) 0.1 A - 0.1 A 0.1 A - 0.1 A - 0.1 A 0.1 A
最小直流电流增益 (hFE) 80 - 80 80 - 80 - 70 70
元件数量 2 - 2 2 - 2 - 2 2
极性/信道类型 NPN - NPN NPN - NPN - NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.1 W - 0.1 W 0.1 W - 0.1 W - 0.1 W 0.1 W
表面贴装 YES - YES YES - YES - YES YES
晶体管元件材料 SILICON - SILICON SILICON - SILICON - SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1 - - -
维控 开机画面停留5秒进入指定画面
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