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MUR150

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 500V V(RRM), Silicon, DO-41, GLASS PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小66KB,共1页
制造商Bkc Semiconductors Inc
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MUR150概述

Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 500V V(RRM), Silicon, DO-41, GLASS PACKAGE-2

MUR150规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明O-LALF-W2
Reach Compliance Codeunknown
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.2 V
JEDEC-95代码DO-41
JESD-30 代码O-LALF-W2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大功率耗散1.5 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压500 V
最大反向恢复时间0.05 µs
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

MUR150相似产品对比

MUR150 MUR130
描述 Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 500V V(RRM), Silicon, DO-41, GLASS PACKAGE-2 Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 300V V(RRM), Silicon, DO-41,
是否Rohs认证 不符合 不符合
Reach Compliance Code unknown unknown
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.2 V 1.2 V
JEDEC-95代码 DO-41 DO-41
JESD-30 代码 O-LALF-W2 O-LALF-W2
JESD-609代码 e0 e0
元件数量 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 200 °C 175 °C
最大输出电流 1 A 1 A
封装主体材料 GLASS GLASS
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM
最大功率耗散 1.5 W 1.5 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 500 V 300 V
最大反向恢复时间 0.05 µs 0.05 µs
表面贴装 NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL

 
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