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BF623T/R

产品描述Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小110KB,共3页
制造商Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
官网地址https://www.nxp.com/
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BF623T/R概述

Transistor

BF623T/R规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)0.02 A
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)50
JESD-609代码e0
最高工作温度150 °C
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)1 W
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT)60 MHz
Base Number Matches1

BF623T/R相似产品对比

BF623T/R BF621T/R
描述 Transistor Transistor
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
Reach Compliance Code unknown unknown
最大集电极电流 (IC) 0.02 A 0.05 A
配置 Single Single
最小直流电流增益 (hFE) 50 50
JESD-609代码 e0 e0
最高工作温度 150 °C 150 °C
极性/信道类型 PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 1 W 1 W
表面贴装 YES YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT) 60 MHz 60 MHz
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