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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> FMMTH10TC
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FMMTH10TC

产品描述RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.025A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小111KB，共2页
制造商Zetex Semiconductors
官网地址http://www.zetex.com/
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FMMTH10TC在线购买

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FMMTH10TC概述

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.025A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN,

FMMTH10TC规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Zetex Semiconductors
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
其他特性LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)0.025 A
基于收集器的最大容量0.7 pF
集电极-发射极最大电压25 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)60
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）260
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层MATTE TIN
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)650 MHz
VCEsat-Max0.5 V
Base Number Matches1

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SOT23 NPN SILICON PLANAR
RF TRANSISTOR
ISSUE 2 – NOVEMBER 1995
FEATURES
* High f
T
=650MHz
* Maximum capacitance 0.7pF
* Low noise < 5dB at 500MHz
FMMTH10
E
C
B
PARTMARKING DETAIL –
3EZ
SOT23
SYMBOL
V
CES
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
P
tot
T
j
:T
stg
MAX.
UNIT
V
V
V
100
100
0.5
Typ.
0.45
0.65
0.95
60
650
0.7
9
Typ.
3
5
MHz
pF
ps
dB
nA
nA
V
pF
V
VALUE
30
25
3
25
50
330
-55 to +150
CONDITIONS.
I
C
=100
µ
A, I
E
=0
I
C
=1mA, I
B
=0
I
E
=10
µ
A, I
C
=0
V
CB
=25V, I
E
=0
V
EB
=2V,I
C
=0
I
C
=4mA, I
B
=0.4mA
V
CB
=10V, I
E
=0
f=1MHz
I
C
=4mA, V
CE
=10V
I
C
=4mA, V
CE
=10V*
I
C
=4mA, V
CE
=10V, f=100MHz
V
CB
=10V, I
E
=0, f=1MHz
I
C
=4mA, V
CB
=10V, f=31.8MHz
I
C
=2mA, V
CE
=5V
f=500MHz,
UNIT
V
V
V
mA
mA
mW
°C
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Collector-Emitter Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Peak Pulse Current
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
PARAMETER
Collector-Base Breakdown
Voltage
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
Emitter-Base Breakdown
Voltage
Collector Cut-Off
Current
Emitter Cut-Off Current
SYMBOL
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
V
(BR)EBO
I
CBO
I
EBO
MIN.
30
25
3
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C)
Collector-Emitter Saturation V
CE(sat)
Voltage
Common Base Feedback
Capacitance
Base-Emitter Turn-On
Voltage
Static Forward Current
Transfer Ratio
Transition Frequency
C
rb
V
BE(on)
h
FE
f
T
Collector Base Capacitance C
cb
Collector Base Time Constant r
b
C
c
Noise Figure
N
f
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
µ
s. Duty cycle
≤
2%
Spice parameter data is available upon request for this device
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FMMTH10TC相似产品对比

FMMTH10TC FMMTH10TA
描述 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.025A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.025A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN,
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 Zetex Semiconductors Zetex Semiconductors
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 LOW NOISE LOW NOISE
最大集电极电流 (IC) 0.025 A 0.025 A
基于收集器的最大容量 0.7 pF 0.7 pF
集电极-发射极最大电压 25 V 25 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 60 60
最高频带 ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e3 e3
湿度敏感等级 1 1
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度） 260 260
极性/信道类型 NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 MATTE TIN MATTE TIN
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 40 40
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 650 MHz 650 MHz
VCEsat-Max 0.5 V 0.5 V

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