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GD74S30

产品描述NAND Gate, TTL, PDIP14,
产品类别逻辑    逻辑   
文件大小92KB,共2页
制造商LG Semicon Co Ltd
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GD74S30概述

NAND Gate, TTL, PDIP14,

GD74S30规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称LG Semicon Co Ltd
包装说明DIP, DIP14,.3
Reach Compliance Codeunknown
JESD-30 代码R-PDIP-T14
JESD-609代码e0
逻辑集成电路类型NAND GATE
最大I(ol)0.02 A
端子数量14
最高工作温度70 °C
最低工作温度
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP14,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
电源5 V
最大电源电流(ICC)10 mA
Prop。Delay @ Nom-Sup7 ns
认证状态Not Qualified
施密特触发器NO
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术TTL
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
Base Number Matches1

GD74S30相似产品对比

GD74S30 GD54S30J GD74S30J
描述 NAND Gate, TTL, PDIP14, NAND Gate, TTL, CDIP14, NAND Gate, TTL, CDIP14,
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
厂商名称 LG Semicon Co Ltd LG Semicon Co Ltd LG Semicon Co Ltd
包装说明 DIP, DIP14,.3 DIP, DIP14,.3 DIP, DIP14,.3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
JESD-30 代码 R-PDIP-T14 R-XDIP-T14 R-XDIP-T14
JESD-609代码 e0 e0 e0
逻辑集成电路类型 NAND GATE NAND GATE NAND GATE
最大I(ol) 0.02 A 0.02 A 0.02 A
端子数量 14 14 14
最高工作温度 70 °C 125 °C 70 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY CERAMIC CERAMIC
封装代码 DIP DIP DIP
封装等效代码 DIP14,.3 DIP14,.3 DIP14,.3
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE
电源 5 V 5 V 5 V
最大电源电流(ICC) 10 mA 10 mA 10 mA
Prop。Delay @ Nom-Sup 7 ns 7 ns 7 ns
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
施密特触发器 NO NO NO
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO
技术 TTL TTL TTL
温度等级 COMMERCIAL MILITARY COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL
Base Number Matches 1 1 -
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