电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

RD6.8MB1

产品描述Zener Diode, 6.6V V(Z), 1.97%, 0.2W, Silicon, Unidirectional, MINIMOLD, SC-59, 3 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小135KB,共8页
制造商NEC(日电)
下载文档 详细参数 全文预览

RD6.8MB1概述

Zener Diode, 6.6V V(Z), 1.97%, 0.2W, Silicon, Unidirectional, MINIMOLD, SC-59, 3 PIN

RD6.8MB1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明R-PDSO-G3
Reach Compliance Codecompliant
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.2 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压6.6 V
表面贴装YES
技术ZENER
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压容差1.97%
工作测试电流5 mA
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
DATA SHEET
RD2.0M to RD47M
ZENER DIODES
200 mW 3-PIN MINI MOLD
ZENER DIODES
DESCRIPTION
Type RD2.0M to RD47M Series are planar type zener diodes
processing an allowable power dissipation of 200 mW.
<R>
PACKAGE DIMENSIONS (Unit: mm)
2.8 ± 0.2
0.4
+0.1
–0.05
1.5
0.65
–0.15
+0.1
FEATURES
• Planar process
• V
Z
; Applied E24 standard.
2.9 ± 0.2
0.95
0.95
2
3
Circuits for,
Constant Voltage, Constant Current,
Waveform clipper, Surge absorber, etc.
<R>
0.3
1.1 to 1.4
Marking
0.16
+0.1
–0.06
MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25°C)
Power Dissipation
Forward Current
Junction Temperature
Storage Temperature
Peak Reverse Power
P
I
F
T
j
T
stg
P
RSM
200
100
150
−55
to +150
100
mW
mA
°C
°C
W (t
T
= 10
μs)
1 . NC
2 . Anode : A SC-59 (JEITA)
3 . Cathode: K
A
2
0 to 0.1
+0.1
APPLICATIONS
1
0.4
–0.05
K
3
1
The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please
confirm that this is the latest version.
Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics
sales representative for availability and additional information.
Document No. D14716EJ7V0DS00 (7th edition)
Date Published March 2006 NS CP(K)
Printed in Japan
1995
The mark <R> shows major revised points.
The revised points can be easily searched by copying an "<R>" in the PDF file and specifying it in the "Find what:" field.
TTL和CMOS门电路的区别.doc
TTL和CMOS门电路:victory: :victory: 的区别.doc...
zf_zxsk 模拟电子
TI ZigBee协议栈中终端设备的状态切换详解
TI ZigBee协议栈中终端设备的状态切换,还是比较难的,发现了一篇不错的介绍,发上来分享给大家。 本文主要介绍了TI ZigBee协议栈Z-Stack中,关于终端设备End Device工作过程中,不同状态之间 ......
Jacktang 无线连接
nec单片机
78F9210 1 / SSOP16 / 78F9211 2 / SSOP16 / 78F9212 4 / SSOP16 / 78F9221 2 / SSOP20 主推 78F9222 4 / SSOP20 主推 78F9232 4 / SSOP30 主推 78 ......
necwell 单片机
大家都收到了STM32F429I,可是我今天才收到,所以传一个STM32 STLINK驱动
我已经使用证明可以了,根据某论坛说的应该装在C:中的INF中所以我也就那么做了,装在别处是否可以我没验证,呵呵。分享给大家呗! 本帖最后由 jsxykj1 于 2013-12-19 14:30 编辑 ]...
jsxykj1 stm32/stm8
ADS的裸奔调试问题
各位老大问个ADS的问题 我想裸奔ARM 2440但有AXD调试的时候报 DBE Warning 00056: The statement into which was stepped is singular (i.e. it has no exit) 程序无法跳转到MAIN函数里面。 ......
lijb920 嵌入式系统

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 476  1312  2551  2847  1287  39  40  59  41  10 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved