X25642S8M-2.7,X25642S8M-2.7 pdf中文资料,X25642S8M-2.7引脚图,X25642S8M-2.7电路-Datasheet-电子工程世界

X25642S8M-2.7: 产品描述EEPROM, 8KX8, Serial, CMOS, PDSO8, PLASTIC, SOIC-8; 产品类别存储存储; 文件大小74KB，共16页; 制造商Xicor Inc

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X25642S8M-2.7概述

EEPROM, 8KX8, Serial, CMOS, PDSO8, PLASTIC, SOIC-8

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
包装说明	PLASTIC, SOIC-8
Reach Compliance Code	unknown
其他特性	1MILLION ENDURANCE CYCLES; DATA RETENTION = 100 YEARS
最大时钟频率 (fCLK)	2 MHz
数据保留时间-最小值	100
耐久性	100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码	R-PDSO-G8
JESD-609代码	e0
长度	4.9 mm
内存密度	65536 bit
内存集成电路类型	EEPROM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	8
字数	8192 words
字数代码	8000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	8KX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOP
封装等效代码	SOP8,.25
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
并行/串行	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	3/5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.75 mm
串行总线类型	SPI
最大待机电流	0.000001 A
最大压摆率	0.005 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	3.9 mm
最长写入周期时间 (tWC)	10 ms
写保护	HARDWARE/SOFTWARE
Base Number Matches	1

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