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GMM791000NS-60

产品描述Fast Page DRAM Module, 1MX9, 60ns, CMOS, PSMA30,
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文件大小413KB,共7页
制造商LG Semicon Co Ltd
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GMM791000NS-60概述

Fast Page DRAM Module, 1MX9, 60ns, CMOS, PSMA30,

GMM791000NS-60规格参数

参数名称属性值
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间60 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PSMA-N30
内存密度9437184 bit
内存集成电路类型FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度9
端子数量30
字数1048576 words
字数代码1000000
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1MX9
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SIMM
封装等效代码SIM30
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期1024
座面最大高度13.081 mm
最大待机电流0.003 A
最大压摆率0.31 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子节距2.54 mm
端子位置SINGLE
Base Number Matches1

GMM791000NS-60相似产品对比

GMM791000NS-60 GMM791000NS-80 GMM791000NS-70
描述 Fast Page DRAM Module, 1MX9, 60ns, CMOS, PSMA30, Fast Page DRAM Module, 1MX9, 80ns, CMOS, PSMA30, Fast Page DRAM Module, 1MX9, 70ns, CMOS, PSMA30,
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
最长访问时间 60 ns 80 ns 70 ns
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PSMA-N30 R-PSMA-N30 R-PSMA-N30
内存密度 9437184 bit 9437184 bit 9437184 bit
内存集成电路类型 FAST PAGE DRAM MODULE FAST PAGE DRAM MODULE FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度 9 9 9
端子数量 30 30 30
字数 1048576 words 1048576 words 1048576 words
字数代码 1000000 1000000 1000000
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C
组织 1MX9 1MX9 1MX9
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SIMM SIMM SIMM
封装等效代码 SIM30 SIM30 SIM30
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 1024 1024 1024
座面最大高度 13.081 mm 13.081 mm 13.081 mm
最大待机电流 0.003 A 0.003 A 0.003 A
最大压摆率 0.31 mA 0.24 mA 0.28 mA
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
Base Number Matches 1 1 1

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