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MRA1214-55H

产品描述L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小78KB,共3页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
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MRA1214-55H概述

L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR

MRA1214-55H规格参数

参数名称属性值
厂商名称Motorola ( NXP )
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
其他特性DIFFUSED BALLAST RESISTORS
外壳连接BASE
最大集电极电流 (IC)7.5 A
配置SINGLE
最高频带L BAND
JESD-30 代码R-CDFM-F2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
最小功率增益 (Gp)6.5 dB
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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