电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

ACT-SF41632N-39F2M

产品描述Memory Circuit, 512KX32, CMOS, CQFP68, 0.880 X 0.880 INCH, 0.200 INCH HEIGHT, DUAL-CAVITY, HERMETIC SEALED, CERAMIC, QFP-68
产品类别存储    存储   
文件大小521KB,共11页
制造商Cobham PLC
下载文档 详细参数 全文预览

ACT-SF41632N-39F2M概述

Memory Circuit, 512KX32, CMOS, CQFP68, 0.880 X 0.880 INCH, 0.200 INCH HEIGHT, DUAL-CAVITY, HERMETIC SEALED, CERAMIC, QFP-68

ACT-SF41632N-39F2M规格参数

参数名称属性值
包装说明QFP,
Reach Compliance Codeunknown
其他特性128K X 32 SRAM ALSO AVAILABLE
JESD-30 代码S-CQFP-G68
长度22.352 mm
内存密度16777216 bit
内存集成电路类型MEMORY CIRCUIT
内存宽度32
功能数量1
端子数量68
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织512KX32
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码QFP
封装形状SQUARE
封装形式FLATPACK
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-STD-883
座面最大高度5.08 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
宽度22.352 mm
Base Number Matches1

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1372  2  2672  2253  326  43  4  17  47  19 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved