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JAN1N5546B

产品描述Zener Diode, 33V V(Z), 5%, 0.4W,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小64KB,共17页
制造商Cobham PLC
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JAN1N5546B概述

Zener Diode, 33V V(Z), 5%, 0.4W,

JAN1N5546B规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗100 Ω
JESD-609代码e0
元件数量1
最高工作温度200 °C
最大功率耗散0.4 W
标称参考电压33 V
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
最大电压容差5%
工作测试电流1 mA
Base Number Matches1

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The documentation and process conversion
measures necessary to comply with this
revision shall be completed by 15 December 1997
INCH POUND
MIL-PRF-19500/437D
15 September 1997
SUPERSEDING
MIL-S-19500/437C
20 December 1994
PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET
SEMICONDUCTOR DEVICE, DIODE, SILICON, LOW-NOISE VOLTAGE REGULATOR TYPES,
1N5518B-1, 1N5518C-1, 1N5518D-1 THROUGH 1N5546B-1, 1N5546C-1, 1N5546D-1,
1N5518BUR-1, 1N5518CUR-1, 1N5518DUR-1 THROUGH 1N5546BUR-1, 1N5546CUR-1, 1N5546DUR-1
JAN, JANTX, JANTXV, JANHC, AND JANKC
This specification is approved for use by all Depart-
ments and Agencies of the Department of Defense.
1. SCOPE
1.1 Scope. This specification covers the performance requirements for 500 milliwatt, silicon, low-noise, voltage regulator diodes with
voltage tolerances of 5 percent, 2 percent, and 1 percent. Three levels of product assurance is provided for each encapsulated device
type as specified in MIL-PRF-19500, and two levels of product assurance for each unencapsulated device type die. For JANHC and
JANKC quality levels (see 6.5).
1.2 Physical dimensions. See figures 1 (DO-7 and DO-35), 2 (DO-213AA), and 3 (JANHC and JANKC).
1.3 Maximum ratings. Maximum ratings are shown in columns 3, 4, and 10 of table IV herein and as follows:
a.
PT = 500 mW (DO-7 and D0-35) at TL = +50°C, L = .375 inch (9.53 mm); both ends of case or diode body to
heat sink at L = .375 inch (9.53 mm). (Derate IZ to 0.0 mA dc at +175°C).
PT = 500 mW (D0-213AA) at TEC = +125°C. (Derate to 0 at +175°C).
-65°C
Top
+175°C; -65°C
TSTG
+175°C.
b.
c.
1.4 Primary electrical characteristics. Primary electrical characteristic columns 1, 6, 8, and 9 of table IV herein and as follows:
a.
b.
c.
3.3 V dc
Vz
33 V dc.
R
θJL
= 250°C/W (maximum) at L = .375 inch (9.53 mm) (D0-7 and D0-35).
R
θJEC
= 100°C/W (maximum) junction to endcaps (D0-213AA).
Beneficial comments (recommendations, additions, deletions) and any pertinent data which may be of use in improving this document
should be addressed to: Commander, Defense Supply Center Columbus, ATTN: DSCC-VAT, 3990 East Broad Street, Columbus, OH
43216-5000, by using the Standardization Document Improvement Proposal (DD Form 1426) appearing at the end of this document or
by letter.
AMSC N/A
DISTRIBUTION STATEMENT A. Approved for public release; distribution is unlimited.
FSC 5961

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JAN1N5546B JANTXV1N5546B JANTX1N5546B
描述 Zener Diode, 33V V(Z), 5%, 0.4W, Zener Diode, 33V V(Z), 5%, 0.4W, Zener Diode, 33V V(Z), 5%, 0.4W,
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
二极管类型 ZENER DIODE ZENER DIODE ZENER DIODE
最大动态阻抗 100 Ω 100 Ω 100 Ω
JESD-609代码 e0 e0 e0
元件数量 1 1 1
最高工作温度 200 °C 200 °C 200 °C
最大功率耗散 0.4 W 0.4 W 0.4 W
标称参考电压 33 V 33 V 33 V
表面贴装 NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
最大电压容差 5% 5% 5%
工作测试电流 1 mA 1 mA 1 mA
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