MJE3055: 产品描述Medium Power NPN Bipolar Transistor; Polarity: NPN; V(BR)CEO Min (V): 60V; IC (A): 10A; HFE Min: 20; HFE Max: 100; VCE (V): 4V; IC (mA): 4000mA; VCE(SAT) (V): 8V; IC (mA)1: 10000mA; IB (mA): 3300mA; FT Min (MHz): 2 MHz; PTM Max (W): 2W; Package: TO-220AB; package_code: TO-220AB; mfr_package_code: TO-220AB; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小155KB，共3页; 制造商Galaxy Microelectronics

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MJE3055概述

Medium Power NPN Bipolar Transistor; Polarity: NPN; V(BR)CEO Min (V): 60V; IC (A): 10A; HFE Min: 20; HFE Max: 100; VCE (V): 4V; IC (mA): 4000mA; VCE(SAT) (V): 8V; IC (mA)1: 10000mA; IB (mA): 3300mA; FT Min (MHz): 2 MHz; PTM Max (W): 2W; Package: TO-220AB; package_code: TO-220AB; mfr_package_code: TO-220AB

MJE3055规格参数

参数名称	属性值
零件包装代码	TO-220AB
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code	unknown
最大集电极电流 (IC)	10 A
集电极-发射极最大电压	60 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	5
JEDEC-95代码	TO-220AB
JESD-30 代码	R-PSFM-T3
元件数量	1
端子数量	3
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	NPN
表面贴装	NO
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	2 MHz
Base Number Matches	1

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Production specification

Plastic-Encapsulate

Transistors

FEATURES



DC Current Gain Specified to 10A.

High Current Gain.

MJE3055

Lead-free

TO-220AB

MAXIMUM RATING

operating temperature range applies unless otherwise specified

Symbol

CBO

CEO

EBO

stg

Parameter

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Base Current

Collector Dissipation @T

=25℃

Junction and Storage Temperature

Value

-55 to +150

Unit

℃

X024

Rev.A

www.gmesemi.com

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