MCM69M618FN8,MCM69M618FN8 pdf中文资料,MCM69M618FN8引脚图,MCM69M618FN8电路-Datasheet-电子工程世界

MCM69M618FN8: 产品描述64KX18 CACHE SRAM, 8ns, PQCC52, PLASTIC, LCC-52; 产品类别存储存储; 文件大小261KB，共8页; 制造商Motorola ( NXP ); 官网地址https://www.nxp.com

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MCM69M618FN8概述

64KX18 CACHE SRAM, 8ns, PQCC52, PLASTIC, LCC-52

MCM69M618FN8规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
零件包装代码	LCC
包装说明	QCCJ, LDCC52,.8SQ
针数	52
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	8 ns
其他特性	SELF-TIMED WRITE; BURST COUNTER; BYTE WRITE
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	S-PQCC-J52
JESD-609代码	e0
长度	19.1262 mm
内存密度	1179648 bit
内存集成电路类型	CACHE SRAM
内存宽度	18
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	52
字数	65536 words
字数代码	64000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	64KX18
输出特性	3-STATE
可输出	YES
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	QCCJ
封装等效代码	LDCC52,.8SQ
封装形状	SQUARE
封装形式	CHIP CARRIER
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	4.57 mm
最小待机电流	3.14 V
最大压摆率	0.29 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	BICMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	J BEND
端子节距	1.27 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	19.1262 mm
Base Number Matches	1

MCM69M618FN8相似产品对比

	MCM69M618FN8	MCM69M618FN10	MCM69M618FN12
描述	64KX18 CACHE SRAM, 8ns, PQCC52, PLASTIC, LCC-52	64KX18 CACHE SRAM, 10ns, PQCC52, PLASTIC, LCC-52	64KX18 CACHE SRAM, 12ns, PQCC52, PLASTIC, LCC-52
是否无铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	LCC	LCC	LCC
包装说明	QCCJ, LDCC52,.8SQ	QCCJ, LDCC52,.8SQ	QCCJ, LDCC52,.8SQ
针数	52	52	52
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	8 ns	10 ns	12 ns
其他特性	SELF-TIMED WRITE; BURST COUNTER; BYTE WRITE	SELF-TIMED WRITE; BURST COUNTER; BYTE WRITE	SELF-TIMED WRITE; BURST COUNTER; BYTE WRITE
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	S-PQCC-J52	S-PQCC-J52	S-PQCC-J52
JESD-609代码	e0	e0	e0
长度	19.1262 mm	19.1262 mm	19.1262 mm
内存密度	1179648 bit	1179648 bit	1179648 bit
内存集成电路类型	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM
内存宽度	18	18	18
功能数量	1	1	1
端口数量	1	1	1
端子数量	52	52	52
字数	65536 words	65536 words	65536 words
字数代码	64000	64000	64000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C
组织	64KX18	64KX18	64KX18
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE
可输出	YES	YES	YES
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	QCCJ	QCCJ	QCCJ
封装等效代码	LDCC52,.8SQ	LDCC52,.8SQ	LDCC52,.8SQ
封装形状	SQUARE	SQUARE	SQUARE
封装形式	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	3.3 V	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	4.57 mm	4.57 mm	4.57 mm
最小待机电流	3.14 V	3.14 V	3.14 V
最大压摆率	0.29 mA	0.265 mA	0.25 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.465 V	3.465 V	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V	3.135 V	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES
技术	BICMOS	BICMOS	BICMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	J BEND	J BEND	J BEND
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	QUAD	QUAD	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	19.1262 mm	19.1262 mm	19.1262 mm
厂商名称	-	Motorola ( NXP )	Motorola ( NXP )

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器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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