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GMM7322010ES-80

产品描述EDO DRAM Module, 2MX32, 80ns, CMOS, PSMA72,
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文件大小889KB,共16页
制造商LG Semicon Co Ltd
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GMM7322010ES-80概述

EDO DRAM Module, 2MX32, 80ns, CMOS, PSMA72,

GMM7322010ES-80规格参数

参数名称属性值
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间80 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PSMA-N72
内存密度67108864 bit
内存集成电路类型EDO DRAM MODULE
内存宽度32
端子数量72
字数2097152 words
字数代码2000000
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织2MX32
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SIMM
封装等效代码SSIM72
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期1024
座面最大高度25.4 mm
自我刷新NO
最大待机电流0.016 A
最大压摆率0.528 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置SINGLE
Base Number Matches1

GMM7322010ES-80相似产品对比

GMM7322010ES-80 GMM7322010ESG-70 GMM7322010ESG-60 GMM7322010ESG-80 GMM7322010ES-60 GMM7322010ES-70
描述 EDO DRAM Module, 2MX32, 80ns, CMOS, PSMA72, EDO DRAM Module, 2MX32, 70ns, CMOS, PSMA72, EDO DRAM Module, 2MX32, 60ns, CMOS, PSMA72, EDO DRAM Module, 2MX32, 80ns, CMOS, PSMA72, EDO DRAM Module, 2MX32, 60ns, CMOS, PSMA72, EDO DRAM Module, 2MX32, 70ns, CMOS, PSMA72,
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown
最长访问时间 80 ns 70 ns 60 ns 80 ns 60 ns 70 ns
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PSMA-N72 R-PSMA-N72 R-PSMA-N72 R-PSMA-N72 R-PSMA-N72 R-PSMA-N72
内存密度 67108864 bit 67108864 bit 67108864 bit 67108864 bit 67108864 bit 67108864 bit
内存集成电路类型 EDO DRAM MODULE EDO DRAM MODULE EDO DRAM MODULE EDO DRAM MODULE EDO DRAM MODULE EDO DRAM MODULE
内存宽度 32 32 32 32 32 32
端子数量 72 72 72 72 72 72
字数 2097152 words 2097152 words 2097152 words 2097152 words 2097152 words 2097152 words
字数代码 2000000 2000000 2000000 2000000 2000000 2000000
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 2MX32 2MX32 2MX32 2MX32 2MX32 2MX32
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SIMM SIMM SIMM SIMM SIMM SIMM
封装等效代码 SSIM72 SSIM72 SSIM72 SSIM72 SSIM72 SSIM72
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 1024 1024 1024 1024 1024 1024
座面最大高度 25.4 mm 25.4 mm 25.4 mm 25.4 mm 25.4 mm 25.4 mm
自我刷新 NO NO NO NO NO NO
最大待机电流 0.016 A 0.016 A 0.016 A 0.016 A 0.016 A 0.016 A
最大压摆率 0.528 mA 0.568 mA 0.648 mA 0.528 mA 0.648 mA 0.568 mA
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1

 
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