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BF431L

产品描述RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, S Band, Silicon, NPN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小257KB,共4页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
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BF431L概述

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, S Band, Silicon, NPN

BF431L规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Codeunknown
其他特性LOW NOISE
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)0.03 A
基于收集器的最大容量1 pF
集电极-发射极最大电压15 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)30
最高频带S BAND
JESD-30 代码R-PDSO-G4
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量4
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值0.3 W
最大功率耗散 (Abs)0.3 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)3800 MHz
Base Number Matches1
谢谢!
[url=http://topic.eeworld.net/u/20081225/17/02675589-db4a-4524-94c8-489021448b83.html][/url]汇编版块100分的帖子,谢谢大牛们!...
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